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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第224页 > FMMT717
SMD型
开关晶体管
FMMT717
SOT-23
晶体管
IC
单位：mm
特点
3
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
625mW的功耗。
+0.1
2.4
-0.1
I
C
CONT 2.5A 。
I
C
高达10A的峰值脉冲电流。
优秀HFE特性高达10A （脉冲） 。
极低的饱和电压例如为10mV （典型值） ..
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
展品导通电阻极低同等学历;
CE （ SAT ）
.
0-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
-12
-12
-5
-10
-2.5
-500
625
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FMMT717
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
Testconditons
晶体管
IC
民
-12
-12
-5
典型值
-35
-25
-8.5
最大
单位
V
V
V
-100
-100
-10
-100
-110
-180
-0.9
-0.8
300
300
180
60
45
80
475
450
275
100
70
110
21
70
130
30
-17
-140
-170
-220
-1
-1
nA
nA
集电极 - 发射极饱和电压*
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA
V
CE（
SAT ）I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
I
C
= -1.5A ，我
B
=-50mA
I
C
= -2.5A ，我
B
=-50mA
V
BE （
SAT ）I
C
=-2.5A,I
B
=-50mA
V
BE（上）
I
C
=-2.5A,V
CE
=-2V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V
I
C
= -8A ，V
CE
=-2V
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V
I
C
=-50mA,V
CE
=-10V,f=100MHz
V
CB
=-10V,f=1MHz
V
CC
= -6V ，我
C
=-2A
I
B1
=-I
B2
=50mA
mV
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
V
V
直流电流增益*
h
FE
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP
300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
兆赫
pF
ns
ns
记号
记号
717
2
www.kexin.com.cn
SuperSOT
SOT23封装PNP广颖电
（开关）晶体管
发行1996年6月3日
特点
FMMT717 FMMT718
FMMT720 FMMT722
FMMT723
*
*
*
*
*
*
625mW功耗
C
B
E
I
C
CONT 2.5A
I
C
高达10A的峰值脉冲电流
优秀
fe
特点高达10A （脉冲）
极低的饱和电压例如10mV的典型。
展品导通电阻极低同等学历;
R
CE （ SAT ）
设备类型
FMMT717
FMMT718
FMMT720
FMMT722
FMMT723
补
FMMT617
FMMT618
FMMT619
FMMT624
Partmarking
717
718
720
722
723
R
CE （ SAT ）
72m
AT 2.5A
97m
在1.5A
163m
在1.5A
-
-
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C*
工作和存储
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
FMMT
717
-12
-12
-5
-10
-2.5
FMMT
718
-20
-20
-5
-6
-1.5
FMMT
720
-40
-40
-5
-4
-1.5
-500
625
-55到+150
FMMT
722
-70
-70
-5
-3
-1.5
FMMT
723
-100
-100
-5
-2.5
-1
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
*最大功耗计算时假定该设备是安装在陶瓷
底测量15x15x0.6mm
**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
3 - 159
FMMT722
FMMT723
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
FMMT722
分钟。
-70
-70
典型值。
-150
-125
-100
-100
-5
-100
-100
-100
-35
-135
-140
-175
-50
-200
-220
-260
-1.05
-1.0
300
300
250
FMMT723
典型值。
-200
-160
-8.8
马克斯。
MAX 。 MIN 。
单位条件。
V
V
V
nA
nA
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100A
V
C B
=-60V
V
C B
=-80V
V
EB
=-4V
V
ES
=-60V
V
ES
=-80V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -1.5A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
权证
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
权证
=-10V*
I
C
= -0.1A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -0.1A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -0.5A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -1A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -1A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -1.5A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -1.5A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -3A ，V
权证
=-5V*
兆赫
I
C
= -50mA ，V
权证
=-10V
f=100MHz
V
C B
= -10V ， F = 1MHz的
V
C C
= -50V ，我
C
=-0.5A
I
B1
=I
B2
=-50mA
集电极 - 基
V
（ BR ） CBO
击穿电压
集电极 - 发射极
V
（ BR ） CEO
击穿电压
发射极 - 基
V
（ BR ） EBO
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
I
BO
I
EBO
I
ES
V
权证（SAT）
-5
-8.8
-100
-100
-100
-50
-125
-210
-0.89
-0.71
-80
-200
-330
-1.0
-1.0
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
V
BE （SAT）
V
BE（上）
h
FE
300
300
175
40
-0.94
-0.78
470
450
275
60
10
475
450
375
250
30
过渡
频率
f
T
150
200
150
20
200
13
50
760
20
输出电容C
OB
开启时间
打开-O FF时间
t
（上）
t
（关闭）
14
40
700
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 165
FMMT722
典型特征
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
+
/I
*
=50
I
+
/I
*
=20
I
+
/I
*
=10
I
+
/I
*
=5
25°C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
+
/I
*
=10
100°C
25°C
-55°C
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
集电极电流
集电极电流
V
BE （ SAT ）
VS我
C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
-55°C
25°C
100°C
V
CE （ SAT ）
VS我
C
1.2
1.0
450
0.8
0.6
225
0.4
0.2
0.0
1mA
-55°C
25°C
100°C
V
+-
=5V
I
+
/I
*
=5
10mA
100mA
1A
10A
集电极电流
集电极电流
h
FE
VS我
C
V
BE （ SAT ）
VS我
C
10单脉冲试验T
AMB
= 25℃
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
+-
=5V
-55°C
25°C
1.0
特区
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
100°C
0.1
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0.01
0.1
1
10
100
集电极电流
V
CE
（伏）
V
BE（上）
VS我
C
3 - 166
安全工作区
FMMT617 FMMT624
FMMT618 FMMT625
FMMT619
SuperSOT系列
FMMT717 FMMT722
FMMT718 FMMT723
FMMT720
热特性和降额信息
降额曲线
最大瞬态热阻
*参考上面的图中，设备被安装在一个15mmx15mm陶瓷基板
3 - 158
SuperSOT
SOT23封装PNP广颖电
（开关）晶体管
发行1996年6月3日
特点
FMMT717 FMMT718
FMMT720 FMMT722
FMMT723
*
*
*
*
*
*
625mW功耗
C
B
E
I
C
CONT 2.5A
I
C
高达10A的峰值脉冲电流
优秀
fe
特点高达10A （脉冲）
极低的饱和电压例如10mV的典型。
展品导通电阻极低同等学历;
R
CE （ SAT ）
设备类型
FMMT717
FMMT718
FMMT720
FMMT722
FMMT723
补
FMMT617
FMMT618
FMMT619
FMMT624
Partmarking
717
718
720
722
723
R
CE （ SAT ）
72m
AT 2.5A
97m
在1.5A
163m
在1.5A
-
-
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C*
工作和存储
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
FMMT
717
-12
-12
-5
-10
-2.5
FMMT
718
-20
-20
-5
-6
-1.5
FMMT
720
-40
-40
-5
-4
-1.5
-500
625
-55到+150
FMMT
722
-70
-70
-5
-3
-1.5
FMMT
723
-100
-100
-5
-2.5
-1
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
*最大功耗计算时假定该设备是安装在陶瓷
底测量15x15x0.6mm
**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
3 - 159
FMMT717
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
分钟。
-12
-12
-5
典型值。
-35
-25
-8.5
-100
-100
-100
-10
-100
-110
-180
-0.9
-0.8
300
300
180
60
45
80
475
450
275
100
70
110
21
70
130
30
兆赫
pF
ns
ns
-17
-140
-170
-220
-1.0
-1.0
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
V
ES
=-10V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -8A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -6V ，我
C
=-2A
I
B1
=I
B2
=50mA
发射极截止电流I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
静态正向电流
FE
转让
比
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 160
FMMT717
典型特征
1
+25°C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I
+
/I
*
=10
100m
10m
I
+
/I
*
=100
I
+
/I
*
=50
I
+
/I
*
=30
I
+
/I
*
=10
0.3
0.2
0.1
10
0.0
1mA
10mA
100°C
25°C
-55°C
1m
1m
10m
100m
1
100mA
1A
10A
100A
集电极电流（ A）
集电极电流
V
CE （ SAT ）
VS我
C
1.6
1.4
450
25°C
V
CE （ SAT ）
VS我
C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100°C
V
+-
=2V
I
+
/I
*
=10
1.2
1.0
0.8
-55°C
25°C
100°C
-55°C
225
0.6
0.4
0.2
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
100A
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
100A
集电极电流
集电极电流
h
FE
VS我
C
10
V
BE （ SAT ）
VS我
C
单脉冲试验T
AMB
= 25℃
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
+-
=2V
-55°C
25°C
100°C
1.0
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
100A
0.01
0.1
1.0
10
100
集电极电流
V
CE
（伏）
V
BE（上）
VS我
C
安全工作区
3 - 161
FMMT617 FMMT624
FMMT618 FMMT625
FMMT619
SuperSOT系列
FMMT717 FMMT722
FMMT718 FMMT723
FMMT720
热特性和降额信息
降额曲线
最大瞬态热阻
*参考上面的图中，设备被安装在一个15mmx15mm陶瓷基板
3 - 158
SMD型
晶体管
IC
RANSISTOR
产品speci fi cation
FMMT717
SOT-23
单位：mm
特点
3
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
625mW的功耗。
+0.1
2.4
-0.1
I
C
CONT 2.5A 。
I
C
高达10A的峰值脉冲电流。
优秀HFE特性高达10A （脉冲） 。
极低的饱和电压例如为10mV （典型值） ..
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
展品导通电阻极低同等学历;
CE （ SAT ）
.
0-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
-12
-12
-5
-10
-2.5
-500
625
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
RANSISTOR
产品speci fi cation
FMMT717
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=-100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=-10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=-100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
-10
-100
-110
-180
-0.9
-0.8
300
300
180
60
45
80
475
450
275
100
70
110
21
70
130
30
兆赫
pF
ns
ns
Testconditons
民
-12
-12
-5
典型值
-35
-25
-8.5
-100
-100
-17
-140
-170
-220
-1
-1
最大
单位
V
V
V
nA
nA
集电极 - 发射极饱和电压*
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA
V
CE（
SAT ）I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
I
C
= -1.5A ，我
B
=-50mA
I
C
= -2.5A ，我
B
=-50mA
V
BE （
SAT ）I
C
=-2.5A,I
B
=-50mA
V
BE（上）
I
C
=-2.5A,V
CE
=-2V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V
I
C
= -8A ，V
CE
=-2V
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V
I
C
=-50mA,V
CE
=-10V,f=100MHz
V
CB
=-10V,f=1MHz
V
CC
= -6V ，我
C
=-2A
I
B1
=-I
B2
=50mA
mV
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
V
V
直流电流增益*
h
FE
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP
300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
记号
记号
717
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
SuperSOT
SOT23封装PNP广颖电
（开关）晶体管
发行1996年6月3日
特点
FMMT717 FMMT718
FMMT720 FMMT722
FMMT723
*
*
*
*
*
*
625mW功耗
C
B
E
I
C
CONT 2.5A
I
C
高达10A的峰值脉冲电流
优秀
fe
特点高达10A （脉冲）
极低的饱和电压例如10mV的典型。
展品导通电阻极低同等学历;
R
CE （ SAT ）
设备类型
FMMT717
FMMT718
FMMT720
FMMT722
FMMT723
补
FMMT617
FMMT618
FMMT619
FMMT624
Partmarking
717
718
720
722
723
R
CE （ SAT ）
72m
AT 2.5A
97m
在1.5A
163m
在1.5A
-
-
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C*
工作和存储
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
FMMT
717
-12
-12
-5
-10
-2.5
FMMT
718
-20
-20
-5
-6
-1.5
FMMT
720
-40
-40
-5
-4
-1.5
-500
625
-55到+150
FMMT
722
-70
-70
-5
-3
-1.5
FMMT
723
-100
-100
-5
-2.5
-1
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
*最大功耗计算时假定该设备是安装在陶瓷
底测量15x15x0.6mm
**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
3 - 159
FMMT722
FMMT723
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
FMMT722
分钟。
-70
-70
典型值。
-150
-125
-100
-100
-5
-100
-100
-100
-35
-135
-140
-175
-50
-200
-220
-260
-1.05
-1.0
300
300
250
FMMT723
典型值。
-200
-160
-8.8
马克斯。
MAX 。 MIN 。
单位条件。
V
V
V
nA
nA
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100A
V
C B
=-60V
V
C B
=-80V
V
EB
=-4V
V
ES
=-60V
V
ES
=-80V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -1.5A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
权证
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
权证
=-10V*
I
C
= -0.1A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -0.1A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -0.5A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -1A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -1A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -1.5A ，V
权证
=-5V*
I
C
= -1.5A ，V
权证
=-10V*
I
C
= -3A ，V
权证
=-5V*
兆赫
I
C
= -50mA ，V
权证
=-10V
f=100MHz
V
C B
= -10V ， F = 1MHz的
V
C C
= -50V ，我
C
=-0.5A
I
B1
=I
B2
=-50mA
集电极 - 基
V
（ BR ） CBO
击穿电压
集电极 - 发射极
V
（ BR ） CEO
击穿电压
发射极 - 基
V
（ BR ） EBO
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
I
BO
I
EBO
I
ES
V
权证（SAT）
-5
-8.8
-100
-100
-100
-50
-125
-210
-0.89
-0.71
-80
-200
-330
-1.0
-1.0
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
V
BE （SAT）
V
BE（上）
h
FE
300
300
175
40
-0.94
-0.78
470
450
275
60
10
475
450
375
250
30
过渡
频率
f
T
150
200
150
20
200
13
50
760
20
输出电容C
OB
开启时间
打开-O FF时间
t
（上）
t
（关闭）
14
40
700
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 165
FMMT722
典型特征
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
+
/I
*
=50
I
+
/I
*
=20
I
+
/I
*
=10
I
+
/I
*
=5
25°C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
+
/I
*
=10
100°C
25°C
-55°C
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
集电极电流
集电极电流
V
BE （ SAT ）
VS我
C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
-55°C
25°C
100°C
V
CE （ SAT ）
VS我
C
1.2
1.0
450
0.8
0.6
225
0.4
0.2
0.0
1mA
-55°C
25°C
100°C
V
+-
=5V
I
+
/I
*
=5
10mA
100mA
1A
10A
集电极电流
集电极电流
h
FE
VS我
C
V
BE （ SAT ）
VS我
C
10单脉冲试验T
AMB
= 25℃
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
+-
=5V
-55°C
25°C
1.0
特区
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
100°C
0.1
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0.01
0.1
1
10
100
集电极电流
V
CE
（伏）
V
BE（上）
VS我
C
3 - 166
安全工作区
FMMT617 FMMT624
FMMT618 FMMT625
FMMT619
SuperSOT系列
FMMT717 FMMT722
FMMT718 FMMT723
FMMT720
热特性和降额信息
降额曲线
最大瞬态热阻
*参考上面的图中，设备被安装在一个15mmx15mm陶瓷基板
3 - 158
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FTR-C2GA012G
F1842RD600
F930G475MAA
FYS-5613A/BX-XX
FI-XB30SL-HF10
FM5-46
FR304GP
FB2009D
FP9004-4
FF20-10A-R11A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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    FMMT717
    -
    -
    -
    -
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    FMMT717
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    FMMT717
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