FQB12P10 / FQI12P10
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
-bv
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
＆ QUOT ;
注意：
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -5.75 A
0.9
＆ QUOT ;
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250
#
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
12
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
100
s
-I
D
，漏电流[ A]
10
1
10毫秒
DC
-I
D
，漏电流[ A]
2
1毫秒
8
6
10
0
4
＆ QUOT ;
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
2
10
-1
10
0
10
1
10
0
25
50
75
100
125
150
175
-V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[ ！ ]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
＆ QUOT ;
N 2 O TE S：
1 . Z
$
J·C
( t ) = 2 . 0
!
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A （C T） R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
$
J·C
( t )
0 .2
0 .1
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
$
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年8月
