【PD - 94793应用l高频率同步降压转换为计算机处理器电源HEXFET功率MOSFETIRL37】,IC型号IRL3715ZS,IRL3715ZS PDF资料,IRL3715ZS经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94793

应用

l

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

HEXFET

功率MOSFET

IRL3715Z

IRL3715ZS

IRL3715ZL

Qg

7.0nC

V

DSS

R

DS （ ON）

最大

20V

11m

:

好处

l

低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

超低栅极阻抗

l

充分界定雪崩电压

和电流

TO-220AB

IRL3715Z

D

2

PAK

IRL3715ZS

TO-262

IRL3715ZL

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

20

单位

V

A

h

36

h

50

200

45

23

0.30

-55 + 175

± 20

最大功率耗散

线性降额因子

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

W

W / ℃，

°C

f

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

y

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

典型值。

马克斯。

3.33

–––

62

40

单位

° C / W

f

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

g

笔记

通过

12页

www.irf.com

1

10/7/03

IRL3715Z/S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

20

–––

1.65

–––

31

–––

0.014

9.2

12.4

2.1

-5.2

–––

7.0

2.1

0.9

2.3

1.7

3.2

3.7

7.1

44

11

4.6

870

270

140

–––

11

15.5

2.55

–––

1.0

150

100

-100

–––

11

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

ns

nC

V

DS

= 10V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 12A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

e

= 12A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 10V ，我

D

= 12A

参照图16

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V

V

DD

= 10V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 12A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

马克斯。

44

12

4.5

单位

mJ

A

mJ

重复性雪崩能量

–––

9.1

2.2

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

50

h

条件

MOSFET符号

D

A

200

1.0

14

3.3

V

ns

nC

展示

整体反转

G

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 12A ，V

DD

= 10V

的di / dt = 100A / μs的

e

2

www.irf.com

IRL3715Z/S/L

1000

VGS

顶部

10V

9.0V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

10V

9.0V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

10

3.0V

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

1

0.1

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 30A

VGS = 10V

T J = 25°C

100

1.5

T J = 175℃

1.0

VDS = 10V

在60μs脉冲宽度

10

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRL3715Z/S/L

10000

12

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

ID = 12A

10

8

6

4

2

0

VDS = 20V

VDS = 10V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

VDS ，漏极至源极电压（ V）

4

8

12

16

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

10

1msec

10msec

1

10

100

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRL3715Z/S/L

60

不限按包

50

ID ，漏电流（ A）

2.6

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

2.2

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

1.8

ID = 250μA

1.4

1.0

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150 175 200

T C ，外壳温度（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

3

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.942

0.000145

0.982

0.406

0.000805

0.004757

τ

1

τ

2

0.01

CI-

τi /日

CI-

τi /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.0001

0.001

0.01

0.001

1E-006

1E-005

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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应用

l

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

HEXFET

功率MOSFET

IRL3715Z

IRL3715ZS

IRL3715ZL

Qg

7.0nC

V

DSS

R

DS （ ON）

最大

20V

11m

:

好处

l

低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

超低栅极阻抗

l

充分界定雪崩电压

和电流

TO-220AB

IRL3715Z

D

2

PAK

IRL3715ZS

TO-262

IRL3715ZL

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

20

单位

V

A

h

36

h

50

200

45

23

0.30

-55 + 175

± 20

最大功率耗散

线性降额因子

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

W

W / ℃，

°C

f

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

y

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

典型值。

马克斯。

3.33

–––

62

40

单位

° C / W

f

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

g

笔记

通过

12页

www.irf.com

1

10/7/03

IRL3715Z/S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

20

–––

1.65

–––

31

–––

0.014

9.2

12.4

2.1

-5.2

–––

7.0

2.1

0.9

2.3

1.7

3.2

3.7

7.1

44

11

4.6

870

270

140

–––

11

15.5

2.55

–––

1.0

150

100

-100

–––

11

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

ns

nC

V

DS

= 10V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 12A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

e

= 12A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 10V ，我

D

= 12A

参照图16

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V

V

DD

= 10V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 12A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

马克斯。

44

12

4.5

单位

mJ

A

mJ

重复性雪崩能量

–––

9.1

2.2

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

50

h

条件

MOSFET符号

D

A

200

1.0

14

3.3

V

ns

nC

展示

整体反转

G

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 12A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 12A ，V

DD

= 10V

的di / dt = 100A / μs的

e

2

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1000

VGS

顶部

10V

9.0V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

10V

9.0V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

10

3.0V

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

1

0.1

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 30A

VGS = 10V

T J = 25°C

100

1.5

T J = 175℃

1.0

VDS = 10V

在60μs脉冲宽度

10

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRL3715Z/S/L

10000

12

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

ID = 12A

10

8

6

4

2

0

VDS = 20V

VDS = 10V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

VDS ，漏极至源极电压（ V）

4

8

12

16

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

10

1msec

10msec

1

10

100

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRL3715Z/S/L

60

不限按包

50

ID ，漏电流（ A）

2.6

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

2.2

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

1.8

ID = 250μA

1.4

1.0

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150 175 200

T C ，外壳温度（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

3

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.942

0.000145

0.982

0.406

0.000805

0.004757

τ

1

τ

2

0.01

CI-

τi /日

CI-

τi /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.0001

0.001

0.01

0.001

1E-006

1E-005

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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