K4S56163LC-R(B)F/R
CMOS SDRAM
16Mx16
移动SDRAM
54CSP
（ VDD / VDDQ 2.5V / 1.8V和2.5V / 2.5V ， TCSR & PASR ）
修订版1.4
2002年12月
修订版1.4 2002年12月
K4S56163LC-R(B)F/R
大4M x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54CSP
特点
2.5V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟时间（ 1 & 2 & 3 ） 。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。 TCSR （温度补偿自刷新） 。
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70
°C).
54balls CSP （ -RXXX - 铅， -BXXX - 无铅） 。
K4S56163LC-R(B)F/R75
K4S56163LC-R(B)F/R1H
K4S56163LC-R(B)F/R1L
K4S56163LC-R(B)F/R15
CMOS SDRAM
概述
该K4S56163LC是268435456位同步的高数据速率
16位组织成4× 4196304字动态RAM ， fabri-
cated与三星的高性能CMOS技术。同步
异步的设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟和I / O事务处理可在每时钟
周期。工作频率范围，可编程突发长度
和可编程延迟允许在同一设备是有用的
各种高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品型号
最大频率。
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
66MHz(CL=2/3)
*2
接口封装
54 CSP
LVCMOS
Pb
（无铅）
-R （B）中R等超低功耗，工作温度; -25 ° C 85°C 。
-R （ B） F;低功耗，工作温度; -25
°C~85 °C.
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.如33MHz的频率， CL1可以得到支持。
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
BANK SELECT
4M ×16
SENSE AMP
4M ×16
4M ×16
4M ×16
LDQM
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L（ U） DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版1.4 2002年12月
K4S56163LC-R(B)F/R
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
D D
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ， T = -25 ° C至70
°C)
A
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
D D
V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
2.3
1.65
0.8× V
DDQ
-0.3
V
DDQ
-0.2
-
-10
典型值
2.5
-
-
0
-
-
-
最大
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
0.3
-
0.2
10
单位
V
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 3.0V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -1.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
(V
D D
= 2.5V ，T
A
= 23
°C,
F = 1MHz时， V
REF
针
时钟
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
Q
0
？ DQ
15
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
=0.9V
±
50毫伏）
民
2.0
2.0
2.0
3.5
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
记
修订版1.4 2002年12月
K4S56163LC-R(B)F/R
DC特性
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 ° C至70 ° C）
参数
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
R C
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
I
CC1
75
CMOS SDRAM
VERSION
-1H
70
-1L
65
-15
60
单位
记
mA
1
I
CC2
P
0.5
0.5
15
I
C C 2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
mA
预充电待机电流
在非掉电模式
I
CC2
NS
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
P
mA
10
6
6
25
mA
I
C C 3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
C D
= 2CLKs
t
RC
≥
t
R C
（分钟）
TCSR范围
4银行
-R （B ）F
2银行
1银行
4银行
-R （B ）R
2银行
1银行
mA
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
25
mA
工作电流
（突发模式）
刷新当前
I
CC4
115
95
95
85
mA
1
I
CC5
165
155
150
125
mA
°C
2
最高45°C
500
400
350
360
260
200
最高70℃
750
550
420
630
430
300
3
uA
4
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S56163LC -R （B ）F **
4. K4S56163LC -R （B ） R **
5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ ）
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CMOS SDRAM
16Mx16
移动SDRAM
54CSP
（ VDD / VDDQ 2.5V / 1.8V和2.5V / 2.5V ， TCSR & PASR ）
修订版1.4
2002年12月
修订版1.4 2002年12月
K4S56163LC-R(B)F/R
大4M x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54CSP
特点
2.5V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟时间（ 1 & 2 & 3 ） 。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。 TCSR （温度补偿自刷新） 。
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70
°C).
54balls CSP （ -RXXX - 铅， -BXXX - 无铅） 。
K4S56163LC-R(B)F/R75
K4S56163LC-R(B)F/R1H
K4S56163LC-R(B)F/R1L
K4S56163LC-R(B)F/R15
CMOS SDRAM
概述
该K4S56163LC是268435456位同步的高数据速率
16位组织成4× 4196304字动态RAM ， fabri-
cated与三星的高性能CMOS技术。同步
异步的设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟和I / O事务处理可在每时钟
周期。工作频率范围，可编程突发长度
和可编程延迟允许在同一设备是有用的
各种高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品型号
最大频率。
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
66MHz(CL=2/3)
*2
接口封装
54 CSP
LVCMOS
Pb
（无铅）
-R （B）中R等超低功耗，工作温度; -25 ° C 85°C 。
-R （ B） F;低功耗，工作温度; -25
°C~85 °C.
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.如33MHz的频率， CL1可以得到支持。
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
BANK SELECT
4M ×16
SENSE AMP
4M ×16
4M ×16
4M ×16
LDQM
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L（ U） DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版1.4 2002年12月
K4S56163LC-R(B)F/R
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
D D
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ， T = -25 ° C至70
°C)
A
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
D D
V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
2.3
1.65
0.8× V
DDQ
-0.3
V
DDQ
-0.2
-
-10
典型值
2.5
-
-
0
-
-
-
最大
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
0.3
-
0.2
10
单位
V
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 3.0V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -1.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
(V
D D
= 2.5V ，T
A
= 23
°C,
F = 1MHz时， V
REF
针
时钟
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
Q
0
？ DQ
15
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
=0.9V
±
50毫伏）
民
2.0
2.0
2.0
3.5
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
记
修订版1.4 2002年12月
K4S56163LC-R(B)F/R
DC特性
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 ° C至70 ° C）
参数
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
R C
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
I
CC1
75
CMOS SDRAM
VERSION
-1H
70
-1L
65
-15
60
单位
记
mA
1
I
CC2
P
0.5
0.5
15
I
C C 2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
mA
预充电待机电流
在非掉电模式
I
CC2
NS
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
P
mA
10
6
6
25
mA
I
C C 3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
C D
= 2CLKs
t
RC
≥
t
R C
（分钟）
TCSR范围
4银行
-R （B ）F
2银行
1银行
4银行
-R （B ）R
2银行
1银行
mA
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
25
mA
工作电流
（突发模式）
刷新当前
I
CC4
115
95
95
85
mA
1
I
CC5
165
155
150
125
mA
°C
2
最高45°C
500
400
350
360
260
200
最高70℃
750
550
420
630
430
300
3
uA
4
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S56163LC -R （B ）F **
4. K4S56163LC -R （B ） R **
5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ ）
修订版1.4 2002年12月
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