CMOS LSI
5489号
LC66P5316
四位单芯片微控制器
与16 KB的片上OTP PROM的
Preriminary
概观
该LC66P5316是一个片上的OTP PROM版本
LC6653XX系列CMOS 4位单芯片微
控制器。该LC66P5316适合的程序
开发及产品的评价，因为它提供
相同的功能和引脚兼容的
LC665316A.
包装尺寸
单位：mm
3149-DIP48S
[LC66P5316]
0.25
48
25
15.24
13.8
46.0
0.51min
0.48
1.05
1.78
2.53
特性和功能
片上OTP ROM的16千字节的容量，和一个片
512芯片的RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 42针
一个子振荡器可以使用（可选）
该电路允许功耗由减小
运行在较低的速度。
8位串行接口：两个电路（可连接
级联，以形成一个16位的接口）的
指令周期时间： 0.95至10微秒（在4.0 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能
强大的中断系统有8个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 5个因素/ 5向量地址
灵活的I / O功能
16值比较器输入， 20 -mA驱动输出，
逆变电路，上拉和漏极开路电路
可选择的选项。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP48S ， QIP48E （ QFP48E ）
评估的LSI ： LC66599 （评估芯片） +
EVA800/850-TB662YXX2
1
24
三洋： DIP48S
SANYO DIP48
单位：mm
3156-QFP48E
[LC66P5316]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5489-1 / 28
3.8
5.1max
4.25
LC66P5316
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108*
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108*
LC66P2316*
LC66P2516
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5489-2 / 28
LC66P5316
引脚分配
DIP48S
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
P31/POUT0/A5
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
VDD
RES / VPP / OE
PE0/XT1
PE1/XT2
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P40/INV0I/A7
P41/INV0O/A8
P42/INV1I/A9
P43/INV1O/A10
P50/A11
P51/A12
P52/A13
P53/INT2/TA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
P13/D7
P12/D6
P11/D5
P10/D4
P03/D3
P02/D2
P01/D1
P00/D0
PD3/AN4/INV4O
PD2/AN3/INV4I
PD1/AN2/INV3O
PD0/AN1/INV3I
PC3/INV2O/DASEC
PC2/INV2I/CE
PC1
PC0
P83
P82
P81/DS1
P80/DS0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
LC66P5316
QFP48E
P01/D1
P00/D0
PD3/AN4/INV4O
PD2/AN3/INV4I
PD1/AN2/INV3O
PD0/AN1/INV3I
PC3/INV2O/DASEC
PC2/INV2I/CE
PC1
PC0
P83
P82
P02/D2
P03/D3
P10/D4
P11/D5
P12/D6
P13/D7
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
P31/POUT0/A5
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
23
39
22
40
21
LC66P5316
41
20
42
19
43
18
44
17
45
16
46
15
47
14
48
13
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
VDD
RES / VPP / OE
PE0/XT1
PE1/XT2
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P40/INV0I/A7
P41/INV0O/A8
P81/DS1
P80/DS0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
P53/INT2/TA
P52/A13
P51/A12
P50/A11
P43/INV1O/A10
P42/INV1I/A9
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5489-3 / 28
LC66P5316
使用注意事项
该LC66P5316是为程序开发，产品评估，并为产品原型开发创造
基于对LC6653XX系列微控制器。使用本产品时，请注意以下几点。
1.复位后
RES引脚必须保持低电平额外3个指令周期振荡器的稳定期后，有
已过。此外，该端口输出电路类型都设置在紧接9个指令周期RES置后
高。仅接着是程序计数器设置为0 ，并且程序执行从该位置开始。 （该端口输出
电路全部恢复期间，当RES为低电平周期的开漏型）。
VDD
民
VDD
OSC
至少10毫秒
振荡器
稳定
至少3个
指令
水库
程序执行（ PC）
漏极开路
LOCATION LOCATION
0
1
端口输出类型
选择开关
选择规格
期
9指令
周期
在LC6653XX评价2.注意事项
EPROM的区域（地点3FF0H至3FFFH ）的高端是选项指定区域。选择规格
数据必须被编程为与加载到该区域中。三洋指定编译器这个产品是
节目LC66S.EXE 。此外，插入JMP指令，使用户程序不尝试执行地址是
超过掩模ROM的容量，并写入零（ 00H ）到区域（比3FF0H至3FFFH其他）超出
掩模ROM的实际容量。
3.安装注意事项
由于结构上的考虑，三洋无法充分测试的一次性可编程产品。因此，用户
必须申请第20页描述这些产品的筛选程序。
4.通过三洋PROM写作服务订购ROM时，请使用以下过程。 （注意，这是一个换
收费的服务。 ）
如果订购一次性可编程掩膜ROM版本在同一时间：
客户必须提供EPROM的掩膜ROM版本，该订单的掩膜ROM版本，
并且为了形成用于一次性可编程版本。
如果只订购一次性可编程版本：
客户必须提供EPROM和订单的一次性可编程版本。最后
在EPROM （地点3FF0H至3FFFH ）的部分选项指定区域，并选择规范
数据必须被写入到这个领域。三洋指定编译器该产品是程序LC66S.EXE 。
此外，插入JMP指令，使用户程序不尝试执行超出容量地址
掩膜ROM ，写零（ 00H ）的地区（比3FF0H到3FFFH除外）超过的实际容量
掩膜ROM 。
本产品与掩膜ROM版本之间的差异5 ：
仔细阅读部分的描述这些差异后面几页。
第5489-4 / 28
LC66P5316
该LC66E5316 ， LC66P5316和LC6653XX系列之间的主要区别
项
在主要区别
特征
工作温度范围
LC6653XX系列（掩膜版）
-30至+ 70°C
3.0 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
3.0 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
最大： 1 μA
最大： 1 μA
LC66E5316
10至+ 40℃的
4.5 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
4.5 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
LC66P5316
-30至+ 70°C
4.0 5.5 V / 0.92 10微秒
（当主振荡器
操作）
4.0 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
工作电源电压/工作
频率（周期时间）
输入高电平电流（ RES ）
输入低电平电流（ RES ）
电流消耗
（工作在4 MHz时）
（工作在32千赫）
（暂停模式下为4 MHz ）
（暂停模式下的32 kHz ）
（保持模式）
在复位端口输出类型
包
典型： 10 nA的，最高： 10 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
在指定的输出类型
选项
DIP48S
QFP48E
漏极开路输出
DIC52S窗口包
QFC48窗口包
漏极开路输出
DIP48S
QFP48E
注意：
*
虽然单片机将保持在保持模式，如果RES引脚设置为低电平，而它在保持模式，总是使用复位启动顺序（后
从低到高HOLD开关，开关RES从低到高）结算时，保持模式。另外约100 μA的电流从RES引脚流出
当它是低的。这大约为100μA增加保持模式的电流消耗。
看到数据表上其他方面的差异细节单个产品。
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
HL XY
C
Z
OTP ROM
(16KB)
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
XT1
XT2
ANI至4
ADC
PE
PD
PC
舞会
控制
A0到A13
D0到D7
CE
DASEC
VPP / OE
EPMOD
TA
E
A
ALU
PC
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 ， INT2
MPX
打断
控制
SI1
SO1
SCK1
PIN1 ， Pout1成为
INV
x
O
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P8
DS1
INV
x
I
（ x = 0到4）
MPX
TIMER1
串行I / O 1
DS0
第5489-5 / 28
CMOS LSI
5487号
LC66P2316
四位单芯片微控制器
与16 KB的片上OTP PROM的
初步
概观
该LC66P2316是一个片上的OTP PROM版本
LC6623XX系列CMOS 4位单芯片微
控制器。该LC66P2316适合的程序
开发及产品的评价，因为它提供
相同的功能和引脚兼容的
LC662316A.
包装尺寸
单位：mm
3025B-DIP42S
[LC66P2316]
42
22
15.24
片上OTP ROM的16千字节的容量，和一个片
512芯片的RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 36针
- 双音多频发电机
该微控制器集成了一个电路，可
产生两个正弦波输出，双音多频输出，或者一个
旋律输出的软件应用程序。
8位串行接口：1个电路
指令周期时间： 0.95至10微秒（在4.0 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统与10的中断因素和7
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 4因素/ 4的向量单元
（波形输出内部中断： 3因素1
向量;与外部扩展中断共享）
灵活的I / O功能
可选方案包括20 -mA驱动输出，逆变器
电路，上拉和漏极开路电路。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP42S ， QIP48E （ QFP48E ）
评估的LSI ： LC66599 （评估芯片） +
EVA800/850-TB662YXX2
13.8
特性和功能
1
37.9
4.25
21
0.95
0.48
1.78
0.51
民
1.15
三洋： DIP42S
单位：mm
3156-QFP48E
[LC66P2316]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5487-1 / 27
3.8
5.1
最大
0.25
LC66P2316
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108*
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108*
LC66P2316*
LC66P2516
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5487-2 / 27
LC66P2316
引脚分配
DIP42S
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
P31/POUT0/A5
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
VDD
RES / VPP / OE
PE0
PE1
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P40/INV0I/A7
P41/INV0O/A8
P42/INV1I/A9
P43/INV1O/A10
P50/A11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
P13/D7
P12/D6
P11/D5
P10/D4
P03/D3
P02/D2
P01/D1
P00/D0
PD3/INV3O
PD2/INV3I
PD1/INV2O
PD0/INV2I
PC3/DASEC
PC2/CE
P63/PIN1
P62/DT
P61
P60/ML
P53/INT2/TA
P52/A13
P51/A12
LC66P2316
QFP48E
P02/D2
P01/D1
P00/D0
PD3/INV30
PD2/INV31
PD1/INV20
NC
PD0/INV21
PC3/DASEC
PC2/CE
P63/PIN
P62/DT
P03/D3
P10/D4
P11/D5
P12/D6
P13/D7
NC
NC
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
23
39
22
40
21
LC66P2316
41
20
42
19
43
18
44
17
45
16
46
15
47
14
48
13
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
P31/POUT0/A5
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
NC
VDD
RES / VPP / OE
PE0
PE1
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P61/DP
P60/ML
P53/TA
P52/A13
P51/A12
NC
NC
P50/A11
P43/INV10/A10
P42/INV11/A9
P41/INV00/A8
P40/INV01/A7
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5487-3 / 27
LC66P2316
使用注意事项
该LC66P2316是为程序开发，产品评估，并为产品原型开发创造
基于对LC6623XX系列微控制器。使用本产品时，请注意以下几点。
1.复位后
RES引脚必须保持低电平额外3个指令周期振荡器的稳定期后，有
已过。此外，该端口输出电路类型都设置在紧接9个指令周期RES置后
高。仅接着是程序计数器设置为0 ，并且程序执行从该位置开始。 （该端口输出
电路全部恢复期间，当RES为低电平周期的开漏型）。
VDD
民
VDD
OSC
至少10毫秒
振荡器
稳定
至少3个
指令
水库
程序执行（ PC）
漏极开路
LOCATION LOCATION
0
1
端口输出类型
选择开关
选择规格
期
9指令
周期
在LC6623XX评价2.注意事项
EPROM的区域（地点3FF0H至3FFFH ）的高端是选项指定区域。选择规格
数据必须被编程为与加载到该区域中。三洋指定编译器这个产品是
节目LC66S.EXE 。此外，插入JMP指令，使用户程序不尝试执行地址是
超过掩模ROM的容量，并写入零（ 00H ）到区域（比3FF0H至3FFFH其他）超出
掩模ROM的实际容量。
3.安装注意事项
由于结构上的考虑，三洋无法充分测试的一次性可编程产品。因此，用户
必须申请第20页描述这些产品的筛选程序。
4.通过三洋PROM写作服务订购ROM时，请使用以下过程。 （注意，这是一个换
收费的服务。 ）
如果订购一次性可编程掩膜ROM版本在同一时间：
客户必须提供EPROM的掩膜ROM版本，该订单的掩膜ROM版本，
并且为了形成用于一次性可编程版本。
如果只订购一次性可编程版本：
客户必须提供EPROM和订单的一次性可编程版本。最后
在EPROM （地点3FF0H至3FFFH ）的部分选项指定区域，并选择规范
数据必须被写入到这个领域。三洋指定编译器该产品是程序LC66S.EXE 。
此外，插入JMP指令，使用户程序不尝试执行超出容量地址
掩膜ROM ，写零（ 00H ）的地区（比3FF0H到3FFFH除外）超过的实际容量
掩膜ROM 。
本产品与掩膜ROM版本之间的差异5 ：
仔细阅读部分的描述这些差异后面几页。
第5487-4 / 27
LC66P2316
该LC66E2316 ， LC66P2316和LC6623XX系列之间的主要区别
项
在主要区别
特征
工作温度范围
工作电源电压/工作
频率（周期时间）
输入高电平电流（ RES ）
输入低电平电流（ RES ）
电流消耗
（工作在4 MHz时）
（暂停模式下为4 MHz ）
（保持模式）
在复位端口输出类型
包
LC6623XX系列（掩膜版）
-30至+ 70°C
LC66E2316
10至+ 40℃的
LC66P2316
-30至+ 70°C
3.5 5.5 V / 0.95 10微秒
4.5 5.5 V / 0.95 10微秒
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
4.0 5.5 V / 0.95 10微秒
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
最大： 1 μA
最大： 1 μA
典型： 10 nA的，最高： 10 μA
在指定的输出类型
选项
DIP42S
QFP48E
漏极开路输出
DIC42S窗口包
QFC48窗口包
漏极开路输出
DIP42S
QFP48E
注意：
*
虽然单片机将保持在保持模式，如果RES引脚设置为低电平，而它在保持模式，总是使用复位启动顺序（后
从低到高HOLD开关，开关RES从低到高）结算时，保持模式。也没有那么大约100微安的电流从流入
RES引脚为低时。这大约为100μA增加保持模式的电流消耗。
看到数据表上其他方面的差异细节单个产品。
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
HL XY
C
Z
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
OTPROM
16KB
EPROM
控制
A0到A13
D0到D7
CE
DASEC
VPP / OE
EPMOD
TA
E
A
ALU
PC
ML
DT
DTMF
将军
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 。 INT2
PE
PD
PC
MPX
打断
控制
MPX
TIMER1
PIN1 。 Pout1成为
INV
x
O
INV
x
I
（ x = 0到3）
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
第5487-5 / 27
CMOS LSI
5488号
LC66E5316
四位单芯片微控制器
与16 KB的片内EPROM
初步
概观
该LC66E5316是一个片上EPROM版本
LC6653XX系列CMOS 4位单片机
微控制器。该LC66E5316提供相同的
用作LC665316A ，并且引脚兼容
该产品。由于LC66E5316是在一个提供
窗口包，它可以被重复地重新编程，并且是
因此最适用于程序的开发。
包装尺寸
单位：mm
3225-DIC52S
[LC66E5316]
46.74
52
14.99
27
14.66
15.24
0.15
25
36
37
20.0
14.0
24
特性和功能
片上EPROM容量的16千字节，而一个片
512芯片的RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 42针
一个子振荡器可以使用（可选）
该电路允许功耗由减小
运行在较低的速度。
8位串行接口：两个电路（可连接
级联，以形成一个16位的接口）的
指令周期时间： 0.95至10微秒（在4.5 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有8个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 5个因素/ 5向量地址
灵活的I / O功能
16值比较器输入， 20 -mA驱动输出，
逆变电路，上拉和漏极开路电路
可选择的选项。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
套餐： DIC52S （窗口） ， QFC48 （窗口）
评估的LSI ： LC66599 （评估芯片） +
EVA800 / 850 - TB662YXX2
1
41.94
26
2.03 1.27
4.0
8.7
1.778
1.145
三洋： DIC52S
3.0
0.35
13
12
2.2
4.2
4.77max
0.9
0.46
44.45
单位：mm
3157-QFC48
[LC66E5316]
20.0
14.0
3.0
1.5
0.35
1.0
1.0
48
1.5
1
三洋： QFC48
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
21097HA （ OT ）第5488-1 / 27
LC66E5316
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108*
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108*
LC66P2316*
LC66P2516
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5488-2 / 27
LC66E5316
引脚分配
DIC52S
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
P31/POUT0/A5
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
VDD
RES / VPP / OE
PE0/XT1
PE1/XT2
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P40/INV0I/A7
P41/INV0O/A8
P42/INV1I/A9
P43/INV1O/A10
P50/A11
P51/A12
P52/A13
P53/INT2/TA
。 。
。 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
P13/D7
P12/D6
P11/D5
P10/D4
P03/D3
P02/D2
P01/D1
P00/D0
PD3/AN4/INV4O
PD2/AN3/INV4I
PD1/AN2/INV3O
PD0/AN1/INV3I
PC3/INV2O/DASEC
PC2/INV2I/CE
PC1
PC0
P83
P82
P81/DS1
P80/DS0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
。 。
。 。
LC66E5316
QFC48
P01/D1
P00/D0
PD3/AN4/INV4O
PD2/AN3/INV4I
PD1/AN2/INV3O
PD0/AN1/INV3I
PC3/INV2O/DASEC
PC2/INV2I/CE
PC1
PC0
P83
P82
P02/D2
P03/D3
P10/D4
P11/D5
P12/D6
P13/D7
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
P31/POUT0/A5
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
23
39
22
40
21
LC66E5316
41
20
42
19
43
18
44
17
45
16
46
15
47
14
48
13
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
VDD
RES / VPP / OE
PE0/XT1
PE1/XT2
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P40/INV0I/A7
P41/INV0O/A8
P81/DS1
P80/DS0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
P53/INT2/TA
P52/A13
P51/A12
P50/A11
P43/INV1O/A10
P42/INV1I/A9
顶视图
第5488-3 / 27
LC66E5316
使用注意事项
该LC66E5316是为程序开发，产品评估，并为产品原型开发创造
基于对LC6653XX系列微控制器。使用本产品时，请注意以下几点。
1.复位后
RES引脚必须保持低电平额外3个指令周期振荡器的稳定期后，有
已过。此外，该端口输出电路类型都设置在紧接9个指令周期RES置后
高。仅接着是程序计数器设置为0 ，并且程序执行从该位置开始。 （该端口输出
电路全部恢复期间，当RES为低电平周期的开漏型）。
VDD
民
VDD
OSC
至少10毫秒
振荡器
稳定
至少3个
指令
水库
程序执行（ PC）
漏极开路
LOCATION LOCATION
0
1
端口输出类型
选择开关
选择规格
期
9指令
周期
在LC6653XX评价2.注意事项
EPROM的区域（地点3FF0H至3FFFH ）的高端是选项指定区域。选择规格
数据必须被编程为与加载到该区域中。三洋指定编译器这个产品是
节目LC66S.EXE 。此外，插入JMP指令，使用户程序不尝试执行地址是
超过掩模ROM的容量，并写入零（ 00H ）到区域（比3FF0H至3FFFH其他）超出
掩模ROM的实际容量。
3.总是实际使用该设备时，应用一个不透明的密封件上的LC66E5316包的窗口。
该LC66E5316 ， LC66P5316和LC6653XX系列之间的主要区别
项
在主要区别
特征
工作温度范围
LC6653XX系列（掩膜版）
-30至+ 70°C
3.0 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
3.0 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
最大： 1 μA
最大： 1 μA
LC66E5316
10至+ 40℃的
4.5 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
4.5 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
LC66P5316
-30至+ 70°C
4.0 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
4.0 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
工作电源电压/工作
频率（周期时间）
输入高电平电流（ RES ）
输入低电平电流（ RES ）
电流消耗
（工作在4 MHz时）
（工作在32千赫）
（暂停模式下为4 MHz ）
（暂停模式下的32 kHz ）
（保持模式）
在复位端口输出类型
包
典型： 10 nA的，最高： 10 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
在指定的输出类型
选项
DIP48S
QFP48E
漏极开路输出
DIC52S窗口包
QFC48窗口包
漏极开路输出
DIP48S
QFP48E
注意：
*
虽然单片机将保持在保持模式，如果RES引脚设置为低电平，而它在保持模式，总是使用复位启动顺序（后
从低到高HOLD开关，开关RES从低到高）结算时，保持模式。另外约100 μA的电流从RES引脚流出
当它是低的。这大约为100μA增加保持模式的电流消耗。
看到数据表上其他方面的差异细节单个产品。
第5488-4 / 27
CMOS LSI
5486号
LC66E2316
四位单芯片微控制器
与16 KB的片内EPROM
初步
概观
该LC66E2316是一个片上EPROM版本
LC6623XX系列CMOS 4位单芯片微
控制器。该LC66E2316提供了相同的功能
作为LC662316A ，并与引脚兼容的
产品。由于LC66E2316是在一个窗口中提供
包，它可以被重复地重新编程，并且因此
最适用于程序开发。
包装尺寸
单位：mm
3127-DIC42S
[LC66E2316]
0.25
22
21
14.99
1.27
3.4min
6.5max
37.32
0.8
42
特性和功能
片上EPROM容量的16千字节，而一个片
512芯片的RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 36针
- 双音多频发电机
该微控制器集成了一个电路，可
产生两个正弦波输出，双音多频输出，或者一个
旋律输出的软件应用程序。
8位串行接口：1个电路
指令周期时间： 0.95至10微秒（在4.5 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统与10的中断因素和
7中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 4因素/ 4的向量单元
（波形输出内部中断： 3因素
1向量;与外部扩展中断共享）
灵活的I / O功能
可选方案包括20 -mA驱动输出，逆变器
电路，上拉和漏极开路电路。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
套餐： DIC42S （窗口） ， QFC48 （窗口）
评估的LSI ： LC66599 （评估芯片） +
EVA800 / 850 - TB662YXX2
1
0.46
1.778
三洋： DIC42S
单位：mm
3157-QFC48
[LC66E2316]
20.0
14.0
3.0
1.5
0.35
36
1.0
25
3.0
0.35
0.15
37
24
20.0
14.0
1.0
48
13
1.5
1
12
2.2
4.2
4.77max
三洋： QFC48
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5486-1 / 26
15.24
LC66E2316
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108*
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108*
LC66P2316*
LC66P2516
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5486-2 / 26
LC66E2316
引脚分配
DIC42S
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
P31/POUT0/A5
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
VDD
RES / VPP / OE
PE0
PE1
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P40/INV0I/A7
P41/INV0O/A8
P42/INV1I/A9
P43/INV1O/A10
P50/A11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
P13/D7
P12/D6
P11/D5
P10/D4
P03/D3
P02/D2
P01/D1
P00/D0
PD3/INV3O
PD2/INV3I
PD1/INV2O
PD0/INV2I
PC3/DASEC
PC2/CE
P63/PIN1
P62/DT
P61
P60/ML
P53/TA
P52/A13
P51/A12
LC66E2316
QFC48
P02/D2
P01/D1
P00/D0
PD3/INV3O
PD2/INV3I
PD1/INV2O
NC
PD0/INV2I
PC3/DASEC
PC2/CE
P63/PIN
P62/DT
P03/D3
P10/D4
P11/D5
P12/D6
P13/D7
NC
NC
P20/SI0/A0
P21/SO0/A1
P22/SCK0/A2
P23/INT0/A3
P30/INT1/A4
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
23
39
22
40
21
LC66E2316
41
20
42
19
43
18
44
17
45
16
46
15
47
14
48
13
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
P31/POUT0/A5
P32/POUT1/A6
VSS
OSC1
OSC2
NC
VDD
RES / VPP / OE
PE0
PE1
TEST / EPMOD
P33/HOLD
P61
P60/ML
P53/INT2/TA
P52/A13
P51/A12
NC
NC
P50/A11
P43/INV1O/A10
P42/INV1I/A9
P41/INV0O/A8
P40/INV0I/A7
顶视图
第5486-3 / 26
LC66E2316
使用注意事项
该LC66E2316是为程序开发，产品评估，并为产品原型开发创造
基于对LC6623XX系列微控制器。使用本产品时，请注意以下几点。
1.复位后
RES引脚必须保持低电平额外3个指令周期振荡器的稳定期后，有
已过。此外，该端口输出电路类型都设置在紧接9个指令周期RES置后
高。仅接着是程序计数器设置为0 ，并且程序执行从该位置开始。 （该端口输出
电路全部恢复期间，当RES为低电平周期的开漏型）。
VDD
民
VDD
OSC
至少10毫秒
振荡器
稳定
至少3个
指令
水库
程序执行（ PC）
漏极开路
LOCATION LOCATION
0
1
端口输出类型
选择开关
选择规格
期
9指令
周期
在LC6623XX评价2.注意事项
EPROM的区域（地点3FF0H至3FFFH ）的高端是选项指定区域。选择规格
数据必须被编程为与加载到该区域中。三洋指定编译器这个产品是
节目LC66S.EXE 。此外，插入JMP指令，使用户程序不尝试执行地址是
超过掩模ROM的容量，并写入零（ 00H ）到区域（比3FF0H至3FFFH其他）超出
掩模ROM的实际容量。
3.总是实际使用该设备时，应用一个不透明的密封件上的LC66E2316包的窗口。
该LC66E2316 ， LC66P2316和LC6623XX系列之间的主要区别
项
在主要区别
特征
工作温度范围
工作电源电压/工作
频率（周期时间）
输入高电平电流（ RES ）
输入低电平电流（ RES ）
电流消耗
（工作在4 MHz时）
（暂停模式下为4 MHz ）
（保持模式）
在复位端口输出类型
包
LC6623XX系列（掩膜版）
-30至+ 70°C
LC66E2316
10至+ 40℃的
LC66P2316
-30至+ 70°C
3.5 5.5 V / 0.95 10微秒
4.5 5.5 V / 0.95 10微秒
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
4.0 5.5 V / 0.95 10微秒
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
最大： 1 μA
最大： 1 μA
典型： 10 nA的，最高： 10 μA
在指定的输出类型
选项
DIP42S
QFP48E
漏极开路输出
DIC42S窗口包
QFC48窗口包
漏极开路输出
DIP42S
QFP48E
注意：
*
虽然单片机将保持在保持模式，如果RES引脚设置为低电平，而它在保持模式，总是使用复位启动顺序（后
从低到高HOLD开关，开关RES从低到高）结算时，保持模式。也没有那么大约100微安的电流从流入
RES引脚为低时。这大约为100μA增加保持模式的电流消耗。
看到数据表上其他方面的差异细节单个产品。
第5486-4 / 26
CMOS LSI
5484号
LC66354C ， 66356C ， 66358C
四位单片微控制器
有4个，6个和8 KB的片上ROM
初步
概观
该LC66354C ， LC66356C和LC66358C分别为4位
的CMOS微控制器集成在单个芯片上的所有
在一个系统控制器所需的功能，包括
ROM，RAM， I / O端口，一个串行接口，比较器
输入，三输入端的值，定时器和中断功能。
这三种微控制器是一个42引脚可用
封装。
这些产品从早期的LC66358A系列不同
和LC66358B系列中的电源电压范围内，
的操作速度，和其他要点。
评估的LSI
- LC66599 （评估芯片） + EVA85 / 800 TB6630X
- LC66E308 （片上EPROM微控制器）
一起使用。
包装尺寸
单位：mm
3025B-DIP42S
[LC66354C/66356C/66358C]
42
22
特性和功能
15.24
片上ROM的容量4 ， 6 ， 8千字节，以及
512片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 36针
8位串行接口：两个电路（可连接
级联，以形成一个16位的接口）的
指令周期时间： 0.92至10微秒（在2.5 5.5 V ）
- 对于较早LC66358A系列： 1.96 10微秒（在
3.0 5.5 V）和3.92至10微秒（在2.2 5.5 V ）
- 对于较早LC66358B系列： 0.92 10微秒（在
3.0至5.5V）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有8个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 5个因素/ 5向量地址
灵活的I / O功能
比较器输入，三值输入， 20 -mA驱动
输出， 15V的高电压管脚，和上拉/漏极开路
选项。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP42S ， QIP48E （ QFP48E ）
13.8
1
37.9
21
4.25
0.95
0.48
1.78
0.51
民
1.15
三洋： DIP42S
单位：mm
3156-QFP48E
[LC66354C/66356C/66358C]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5484-1 / 21
3.8
5.1
最大
0.25
LC66354C ， 66356C ， 66358C
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B
LC66562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662304A/2306A/2308A
LC662312A/2316A
LC665304A/665306A/665308A
LC665312A/5316A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2316
LC66E5316
LC66P2316*
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
64
42
42
42
48
48
42
42
42
42
64
64
42
52/48
42
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP42S
DIP48S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIC42S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP42S
DIP48S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP64E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
QFC48
与窗口
QFC48
与窗口
QFP48E
QFP48E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4.5 5.5 V / μs的0.95
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5484-2 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
引脚分配
DIP42S
P00
P01
P02
P03
P10
P11
P12
P13
SI0/P20
SO0/P21
SCK0/P22
INT0/P23
INT1/P30
POUT0/P31
POUT1/P32
HOLD/P33
P40
P41
TEST
VSS
OSC1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
PE1/TRB
PE0/TRA
VDD
PD3/CMP3
PD2/CMP2
PD1/CMP1
PD0/CMP0
PC3/VREF1
PC2/VREF0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
P53/INT2
P52
P51
P50
P43
P42
水库
OSC2
LC66354C
356C
358C
QFP48E
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
CMP2/PD2
CMP3/PD3
VDD
TRA/PE0
TRB/PE1
NC
NC
P00
P01
P02
P03
P10
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
P50
P43
P42
水库
OSC2
NC
NC
OSC1
VSS
TEST
P41
P40
P11
P12
P13
S10/P20
S00/P21
NC
SCK0/P22
INT0/P23
INT1/P30
POUT0/P31
POUT1/P32
HOLD/P33
PD1/CMP1
PD0/CMP0
PC3/VREF1
PC2/VREF0
P63/PIN1
P62/SCK1
NC
P61/S01
P60/S11
P53/INT2
P52
P51
LC66354C
356C
358C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5484-3 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
H L YX
C
Z
只读存储器
(4K/6K/8K)
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
E
A
ALU
PC
茶
TRB
CMP0
CMP1
CMP2
CMP3
PE
PD
PC
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 。 INT2
SI1
SO1
SCK1
PIN1 。 Pout1成为
MPX
打断
控制
MPX
TIMER1
串行I / O 1
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
在LC66354C ， LC66356C和LC66358C和LC6630X系列之间的区别
项
制度的差异
硬件等待时间（周期数）
在保持模式被清除
定时器0复位后的值
（包括在值后保持模式
清零）
LC6630X系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6635XC系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
设置为FF0 。
设置为FFC 。
2.5 5.5 V / 0.92 10微秒
LC6635XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
LC6635XB
3.0 5.5 V / 0.92 10微秒
差异主要特点
工作电源电压和
运行速度（循环时间）
LC66304A / 306A / 308A
4.0 6.0 V / 0.92 10微秒
LC66E308 / P308
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
注： 1. RC振荡器不能与LC66354C ， LC66356C和LC66358C使用。
2.有其他的差异，包括在输出电流和端口的输入电压的差异。
有关详细信息，请参阅数据表的LC66308A ， LC66E308和LC66P308 。
3.密切关注使用LC66E308和LC66P308进行评估时，这里列出的差异。
第5484-4 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
引脚功能概述
针
P00
P01
P02
P03
I / O
概观
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持暂停模式控制
功能
输出驱动器类型
选项
复位后的状态
I / O
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低
（可选）
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低
（可选）
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
I / O
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P32也被用于该方波
从定时器1输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
电平，则CPU将不会被低复位
在RES引脚的电平。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD低
当电源第一次应用。
P40
P41
P42
P43
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
在P50中一起使用时数据
为P53 。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
拉MOS和N沟道OD
产量
H
P50
P51
P52
P53/INT2
I / O
I / O端口P50到P53
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
与P40到P43相结合。
可用于8位ROM输出
在P40中一起使用时，数据
为P43 。
P53也用作到INT2中断
请求。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
拉MOS和N沟道OD
产量
H
接下页。
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