M29F002BT ， M29F002BB ， M29F002BNT ， M29F002BNB
图2. PLCC连接
图3. TSOP连接
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29F002BT
M29F002BB
M29F002BNB
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
RP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
25
8
9
M29F002BT
M29F002BB
25
24
17
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
16
17
AI02958
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A12
A15
A16
RP
VCC
W
A17
AI02959B
图4. PDIP连接
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
M29F002BT ， M29F002BB ：
复位/座临时撤消
RP
M29F002BNT ， M29F002BNB ：
在内部没有连接
V
CC
V
SS
电源电压
地
RP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7 M29F002BT
8 M29F002BB
9 M29F002BNT
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
W
A17
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
E
G
W
AI02960
2/22
M29F002BT ， M29F002BB ， M29F002BNT ， M29F002BNB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
概要说明
该M29F002B是一个2兆比特（ 256Kb的×8 ）的非易失性
存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以执行US-
荷兰国际集团的单一5V电源。上电时，存储
默认为它的浏览模式，其中它可以读取在
以同样的方式作为ROM或EPROM 。该
M29F002B完全向后兼容
M29F002.
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
表3.顶部引导块地址，
M29F002BT ， M29F002BNT
#
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
（千字节）
16
8
8
32
64
64
64
地址范围
3C000h-3FFFFh
3A000h-3BFFFh
38000h-39FFFh
30000h-37FFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
在存储器中的块是不对称AR-
列，看表3A和3B中，块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器，两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座，其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
提供在TSOP32内存（ 8× 20毫米）
PLCC32和PDIP封装，它提供
与所有的位擦除（设置为' 1'） 。
表4.底部引导块地址，
M29F002BB
#
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
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M29F002BT ， M29F002BB ， M29F002BNT ， M29F002BNB
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A17 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消（ RP ） 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。在M29F002BNT销不
内部连接而这个功能是不可用
能。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高，V
IH
，内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
或T
PLYH
，以先到为准过去。请参阅表15
图12 ，复位/临时撤消AC煤焦
Cucumis Sativus查阅全文了解更多详情。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
复位/座临时撤消可以保留非
连接。内部弱上拉电阻恩
祖雷斯贝尔的内存始终正常运行。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC4
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
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M29F002BT ， M29F002BB ， M29F002BNT ， M29F002BNB
巴士业务
有迹象表明，控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读，写总线，输出
把禁用，待机和自动待机。看
表5 ，公交车运营，对于一个总结。通常
小于5ns的片上的毛刺启用或写
启用的内存被忽略，不自动对焦
FECT总线操作。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元，或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入，应用低信号，V
IL
，到芯片使能
和输出使能，并保持写使能
高，V
IH
。数据输入/输出将输出
值，见图9 ，阅读模式AC波形，
和表12 ，阅读交流特性，了解详细信息
的时，输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能，最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能，以先到为准。输出恩
能必须维持在高位，V
IH
，整辆巴士中
写操作。请参阅图10和11 ，写交流
波形，以及表13和表14中，收件交流
特点，关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高，V
IH
.
待机。
当芯片使能为高，V
IH
中，
数据输入/输出引脚置于高
阻抗状态，电源电流为重
缩小以待机水平。
表5.公交运营
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注：X = V
IL
或V
IH
.
当芯片使能为V
IH
供电电流
沦落到TTL待机电流，我
CC2
.
为了进一步降低电源电流的CMOS
待机电源电流，我
CC3
，芯片使能应
在V举行
CC
± 0.2V 。对于待机电流
水平见表11 ，直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前，我
CC4
，对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平（V
CC
± 0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为150ns或更多的存储器进入自动
待机状态，内部电源电流为重
缩小以在CMOS待机电流，我
CC3
.
数据输入/输出仍然会输出数据，如果
总线读操作正在进行中。
特别巴士运营
附加的总线操作可以被执行以
阅读电子签名，也适用
和删除块保护。这些总线操作
系统蒸发散是专供编程使用的分析装备
精神疾病，而且通常不会在应用程序中使用。
他们需要V
ID
要应用到一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码，制造商代码和装置
码，可以读取，以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
在表5中列出，公交车运营。
块保护
和
块unprotection的。
每
块可分别防止邮轮业咨询委员会
牙科编程或擦除。受保护的块可以是
未受保护的，以允许数据被改变。
有两种方法可用于保护
并取消保护块，一个是亲上使用
编程设备和其它用于在系统
使用。欲了解更多信息，请参见应用
注意AN1122 ，应用保护和Unprotec-
重刑M29系列闪存。
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
地址输入
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
， A1 = V
IL
， A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
， A1 = V
IL
， A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据
输入/输出
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
B0H （ M29F002BT ）
B0H （ M29F002BNT ）
34H （ M29F002BB ）
V
IL
V
IL
V
IH
5/22
QQ：2880707522 复制
