'97.3.21
三菱的LSI
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR
-70L -W -85L -W ， -10L -W， -12L -W
-70LL -W -85LL -W -10LL -W -12LL瓦
2097152 - BIT （ 262144 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5V208是2,097,152位CMOS静态RAM组织为
262,144字×8位，采用高性能的被制造
四倍多晶硅，双金属CMOS工艺。利用
的薄膜晶体管（TFT）的称重传感器和CMOS外围导致
高密度和低功率的静态RAM 。该M5M5V208设计
内存应用中的高可靠性，大容量存储，简单
接口和备用电池是重要的设计目标。
该M5M5V208VP ， RV ， KV ， KR封装在一个32引脚薄型小
外形封装这是一种高可靠性，高密度表面
安装器件（SMD ） 。两个类型的设备可供选择。
副总裁， KV （正常引脚弯曲型封装） ， RV ， KR （反向弯曲铅
式封装） 。使用这两种类型的设备，它变得非常容易
设计一个印刷电路板。
引脚配置（顶视图）
A
17 1
A
16 2
A
14 3
A
12 4
A
7 5
A
6 6
A
5 7
A
4 8
A
3 9
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
(0V)
GND
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
特征
TYPE
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-70L
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-85L
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-10L
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-12L
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-70LL
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-85LL
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-10LL
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR-12LL
接入电源电流
时间
主动待机
（最大）
（最大）
（最大）
70ns
85ns
100ns
120ns
70ns
85ns
100ns
120ns
27mA
(Vcc=3.6V)
V
CC
(3V)
A
15
S
2
W
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
概要32P2M -A （ FP ）
60A
(Vcc=3.6V)
10 A
(Vcc=3.6V)
单2.7 3.6V电源
W-版本：经营温度-20至+ 70°C
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容。
易于扩展的内存和功率下降S1 S2 &
数据保持电源电压= 2.0V
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
电池备份功能
小的待机电流·· · · · · · · ·· 0.3μA （ TYP。）
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
VCC
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
M5M5V208VP,KV
-W
OE
A
10
S
1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
GND
DQ3
DQ2
DQ1
A
0
A
1
A
2
A
3
概述32P3H -E （ VP） ， 32P3K -B （ KV ）
包
M5M5V208FP
： 32引脚525密耳SOP
M5M5V208VP ， RV ： 32引脚8× 20平方毫米
TSOP
M5M5V208KV ， KR ： 32引脚8× 13.4平方毫米TSOP
S
2
W
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
VCC
A
15
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
M5M5V208RV,KR
-W
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
DQ3
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
S
1
A
10
OE
应用
小容量的存储单元
电池操作系统
手持式交际中的工具
概述32P3H -F （ RV ） ， 32P3K -C （ KR ）
三菱
电
1
