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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第150页 > M74HC165M1R
M74HC165
8位PISO移位寄存器
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 15ns的( TYP 。 )在V
CC
= 6V
低功耗:
I
CC
= 4μA ( MAX 。 )在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V到6V
引脚和功能兼容
74系列165
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
DIP
SOP
TSSOP
M74HC165B1R
M74HC165M1R
T&R
M74HC165RM13TR
M74HC165TTR
描述
该M74HC165是一个高速CMOS 8位
PISO移位寄存器制造硅
2
MOS技术。
该器件包含八个时钟的主从
RS触发器连接成一个移位寄存器,以
to
提供
压倒一切
异步并行输入。并行数据输入
当移位/负载输入为低。该并行数据
可以改变而移位/负载较低,其前提是
推荐的设置和保持时间是
观察到。对于计时操作,移位/负载必须
是高的。这两个时钟输入进行相同;
人们可以通过将用作时钟禁止
高信号;以允许该操作的时钟是
通过一个2输入端或非门实现的。
为避免双重时钟,然而,禁止
信号应该只高,而时钟信号为高。
否则的上升禁止信号将导致
相同的响应时钟上升沿。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年7月
1/12
M74HC165
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1
2
7
9
符号
名称和功能
10
11, 12, 13,
A至H
14, 3, 4, 5, 6
15
时钟INH
8
GND
16
VCC
SHIFT / LOAD DATA输入
互补输出
QH
QH
串行输出
时钟输入(从低到
时钟
HIGH ,边沿触发
SI
串行数据输入
并行数据输入
禁止时钟
地( 0V )
正电源电压
真值表
输入
移位/
负载
L
H
H
H
H
H
H
X
H
时钟INH
X
L
L
L
L
H
X
时钟
X
SI
X
H
L
H
L
X
X
一个..........
一个..........
X
X
X
X
X
X
内部输出
QA
a
H
L
H
L
QB
b
QAN
QAN
QAN
QAN
没有变化
没有变化
输出
QH
h
QGN
QGN
QGN
QGN
一个........ H:稳定输入电压分别通过输入一个级别
QAN - QGN : QA的水平 - 分别为QG 。最-最近的时钟的转变前
逻辑图
2/12
M74HC165
时序图
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
(*) 500毫瓦,在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
3/12
M74HC165
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
参数
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
I
O
-5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
4
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1
40
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±
1
80
A
A
V
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
IL
V
V
OH
4/12
M74HC165
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
20
5
4
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
55
18
15
65
21
18
52
17
14
15
60
71
24
6
5
32
8
7
24
6
5
马克斯。
75
15
13
150
30
26
165
33
28
135
27
23
6.0
30
35
75
15
13
75
15
13
75
15
13
0
0
0
75
15
13
95
19
16
95
19
16
95
19
16
0
0
0
95
19
16
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
190
38
33
205
41
35
170
34
29
4.8
24
28
110
22
19
110
22
19
110
22
19
0
0
0
110
22
19
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
225
45
38
250
50
43
205
41
35
ns
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
( CLOCK - QH , QH )
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
( SHIFT / LOAD -
QH , QH )
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
(H - QH , QH )
f
最大
最大时钟
频率
最小脉冲
宽度
(CLOCK )
最小脉冲
宽度
( SHIFT / LOAD )
最小的建立
时间
( PI - SHIFT / LOAD)
( SI - CLOCK )
( SHIFT / LOAD - CK )
最小保持
时间
( PI - SHIFT / LOAD)
( SI - CLOCK )
( SHIFT / LOAD - CK )
最低清除
时间
( CLOCK - CK INH )
ns
7.4
37
44
兆赫
t
瓦特(H)的
t
瓦特(L)的
t
瓦特(L)的
ns
ns
t
s
ns
t
h
ns
t
REM
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
55
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容(注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
5/12
M74HC165
8位PISO移位寄存器
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 15ns的( TYP 。 )在V
CC
= 6V
低功耗:
I
CC
= 4μA ( MAX 。 )在T
A
=25°C
高抗干扰性:
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
(分)
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 2V到6V
引脚和功能兼容
74系列165
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
DIP
SOP
TSSOP
M74HC165B1R
M74HC165M1R
T&R
M74HC165RM13TR
M74HC165TTR
描述
该M74HC165是一个高速CMOS 8位
PISO移位寄存器制造硅
2
MOS技术。
该器件包含八个时钟的主从
RS触发器连接成一个移位寄存器,以
to
提供
压倒一切
异步并行输入。并行数据输入
当移位/负载输入为低。该并行数据
可以改变而移位/负载较低,其前提是
推荐的设置和保持时间是
观察到。对于计时操作,移位/负载必须
是高的。这两个时钟输入进行相同;
人们可以通过将用作时钟禁止
高信号;以允许该操作的时钟是
通过一个2输入端或非门实现的。
为避免双重时钟,然而,禁止
信号应该只高,而时钟信号为高。
否则的上升禁止信号将导致
相同的响应时钟上升沿。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年7月
1/12
M74HC165
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1
2
7
9
符号
名称和功能
10
11, 12, 13,
A至H
14, 3, 4, 5, 6
15
时钟INH
8
GND
16
VCC
SHIFT / LOAD DATA输入
互补输出
QH
QH
串行输出
时钟输入(从低到
时钟
HIGH ,边沿触发
SI
串行数据输入
并行数据输入
禁止时钟
地( 0V )
正电源电压
真值表
输入
移位/
负载
L
H
H
H
H
H
H
X
H
时钟INH
X
L
L
L
L
H
X
时钟
X
SI
X
H
L
H
L
X
X
一个..........
一个..........
X
X
X
X
X
X
内部输出
QA
a
H
L
H
L
QB
b
QAN
QAN
QAN
QAN
没有变化
没有变化
输出
QH
h
QGN
QGN
QGN
QGN
一个........ H:稳定输入电压分别通过输入一个级别
QAN - QGN : QA的水平 - 分别为QG 。最-最近的时钟的转变前
逻辑图
2/12
M74HC165
时序图
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
(*) 500毫瓦,在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
3/12
M74HC165
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 6.0V
参数
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
I
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
6.0
6.0
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
=-20
A
I
O
= -4.0毫安
I
O
= -5.2毫安
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
=20
A
I
O
-4.0毫安
I
O
-5.2毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
T
A
= 25°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.31
5.8
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±
0.1
4
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±
1
40
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
4.10
5.60
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±
1
80
A
A
V
V
马克斯。
-55到125°C
分钟。
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
V
IL
V
V
OH
4/12
M74HC165
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
20
5
4
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
55
18
15
65
21
18
52
17
14
15
60
71
24
6
5
32
8
7
24
6
5
马克斯。
75
15
13
150
30
26
165
33
28
135
27
23
6.0
30
35
75
15
13
75
15
13
75
15
13
0
0
0
75
15
13
95
19
16
95
19
16
95
19
16
0
0
0
95
19
16
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
190
38
33
205
41
35
170
34
29
4.8
24
28
110
22
19
110
22
19
110
22
19
0
0
0
110
22
19
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
225
45
38
250
50
43
205
41
35
ns
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
( CLOCK - QH , QH )
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
( SHIFT / LOAD -
QH , QH )
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
(H - QH , QH )
f
最大
最大时钟
频率
最小脉冲
宽度
(CLOCK )
最小脉冲
宽度
( SHIFT / LOAD )
最小的建立
时间
( PI - SHIFT / LOAD)
( SI - CLOCK )
( SHIFT / LOAD - CK )
最小保持
时间
( PI - SHIFT / LOAD)
( SI - CLOCK )
( SHIFT / LOAD - CK )
最低清除
时间
( CLOCK - CK INH )
ns
7.4
37
44
兆赫
t
瓦特(H)的
t
瓦特(L)的
t
瓦特(L)的
ns
ns
t
s
ns
t
h
ns
t
REM
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
55
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容(注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
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