富士通半导体
数据表
DS07-12530-1E
8位微控制器专有
CMOS
F MC- 8L MB89650AR系列
MB89653AR/655AR/656AR/657AR/P657A
MB89PV650A
s
描述
该MB89650AR系列已发展为通用版本在F的
2
MC * -8L家族组成
专有的8位单芯片微控制器。
除了紧凑的指令集，该微控制器含有多种外围功能，如
双时钟控制系统，五运行速度控制阶段，定时器， PWM定时器，串行接口， A / D
转换器，外部中断，一个LCD控制器/驱动器，和一个计时预分频器。
*: F
2
MC代表富士通灵活的微控制器。
2
s
特点
F
2
MC- 8L系列CPU内核
双时钟控制系统
最大存储空间： 64K字节
最短执行时间： 0.4
s/10
兆赫
中断处理时间： 3.6
s/10
兆赫
I / O端口：最大。 64个通道
21位的时基计数器
8位PWM定时器：2通道（最多4个信道，可用于输出）。
8位/ 16位的定时器/计数器：4通道（16位
×
2个通道）
8位串行I / O ：1通道
8位A / D转换器： 8通道
（续）
s
包
100引脚塑料SQFP
100引脚塑料QFP
100引脚陶瓷MQFP
(FPT-100P-M05)
(FPT-100P-M06)
(MQP-100C-P02)
MB89650AR系列
（续）
=外部中断1
4个独立通道与边缘检测功能
外部中断2 （唤醒功能）
十二个“ L”电平，中断通道
计时预分频器
LCD控制器/驱动器： 16至32段
×
2至4个COM
上电复位功能
低功耗模式（时钟模式，计时模式，睡眠模式，停止模式）
SQFP -100和QFP -100封装
s
产品阵容
产品型号
MB89653AR MB89655AR
参数
MB89656AR
MB89657AR
MB89P657A
MB89PV650A
肩扛/
产品评测
（评价及
发展）
分类
大批量生产的产品
（掩膜ROM产品）
ROM大小
8 K
×
8位
（内部
面膜
只读存储器）
256
×
8位
16 K
×
8位
24 K
×
8位32千
×
8位
（内部
（内部
（内部
面膜
面膜
面膜
只读存储器）
只读存储器）
只读存储器）
512
×
8位
768
×
8位
16
×
8位
的指令数：
指令位长：
指令长度：
数据位长：
最短执行时间：
中断处理时间：
输入端口：
输出端口：
I / O端口：
总计：
一次性
PROM产品
32 K
×
8位
（内部PROM ，
程序设计
与常规 -
目的EPROM
程序员）
32 K
×
8位
（外部ROM ）
RAM大小
液晶显示器
内存
CPU功能
1 K
×
8位
136
8位
1 3个字节
1 ，如图8所示， 16位
0.4
s/10
MHz至6.4
s/10
兆赫， 61.0
s/32.768
千赫
3.6
s/10
MHz至57.6
s/10
兆赫， 549.3
s/32.768
千赫
8 （全部也可以作为外设）。
8 （全部也可以作为外设）。
48 （所有也可作为外设）。
64
端口
8位定时器1 ，
8位定时器2
8位定时器3 ，
8位定时器4
时钟计时器
8位PWM
定时器1 ，
8位PWM
定时器2
8位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
16位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
当作为一个8位定时器运行2个输出通道已启用。
8位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
16位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
当作为一个8位定时器运行2个输出通道已启用。
21位
×
1 （主时钟模式） / 15位
×
1 （ 32.768千赫）
8位重载定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.4
s
3.3毫秒）
8位分辨率PWM模式（转换周期： 102
s
至839毫秒）
8位PWM定时器1和8位PWM定时器2可以输出2声道。
（续）
2
MB89650AR系列
（续）
产品型号
参数
MB89653AR MB89655AR
MB89656AR
MB89657AR
MB89P657A
MB89PV650A
8位串行I / O
8位
LSB优先/ MSB优先选择能力
从四个传送时钟的一个时钟选择
（一个外部移位时钟，三个内部移位时钟： 0.8
s,
3.2
s,
12.8
s)
8位分辨率
×
8通道
A / D转换模式（转换时间： 18
s)
检测模式（转换时间： 5
s)
连续激活通过能在内部定时器
参考电压输入
4个独立通道（边选择）
上升沿/下降沿可选择性
为唤醒从停止/睡眠模式下使用也。 （边缘检测也允许在停止模式下）。
“L”级的中断
×
12路
副时钟模式，睡眠模式，计时模式和停止模式
CMOS
2.2 V至6.0 V
2.7 V至6.0 V
MBM27C256A-
20TVM
8位A / D
变流器
外
中断1
外
中断2
（ WAKE -UP
功能）
待机模式
过程
操作
电压*
EPROM使用
*：与诸如工作频率的条件不同而不同。 （见“S电气特性”。 ）
在MB89PV650A的情况下，该电压随EPROM的使用的限制。
s
包装及相应的产品
包
MB89653AR
MB89655AR
MB89656AR
MB89657AR
MB89P657A
MB89PV650A
×
×
×
FPT-100P-M05
FPT-100P-M06
MQP-100C-P02
：可用
×
：无法使用
注：有关每个包的详细信息，请参见“S封装尺寸。 ”
3
MB89650AR系列
s
产品差异
1.内存大小
在使用该产品搭载了评估，确认将实际使用的产品的不同之处。
所以要特别小心以下几点：
在MB89653AR ，不能被使用的寄存器组的上半部。
在MB89P657A ，程序区从地址8006开始
H
但是，从MB89PV650A和MB89657AR
从8000开始
H
.
（在MB89P657A ，解决8000
H
到8005
H
包括该选项设置区域，选项可以读
通过阅读这些地址。在MB89PV650A和MB89657A ，解决8000
H
到8005
H
也可以是
作为程序的ROM。但是，不要为了保持兼容性使用这些地址
MB89P657A.)
堆栈区等，设置在RAM中的上限。
2.电流消耗
在MB89PV650A的情况下，添加的电流被连接到顶部插座EPROM的消耗。
当在低速操作时，用一个OTPROM （一次性PROM）或一个EPROM的产品会消耗
比具有掩模ROM的产品的更多的电流。
然而，电流消耗在睡眠/停止模式中是相同的。 （有关详细信息，请参阅章节
“S电气特性”和“s示例特征。 ” ）
3.蒙版选项
可被选择作为选择，以及如何指定这些选项的功能各不相同的产品。
在使用前检查选项部分“S蒙版选项”。
所以要特别小心以下几点：
一个上拉电阻不能为P70到P75的MB89P657A进行设置。对这款产品，一个上拉电阻必须
在一组4个位用于P14至P17 ， P40至P43 ，和P44至P47中选择。
一个上拉电阻是不可选的P30到P37和P40到P47 ，如果它们被用作LCD引脚。
选项固定在MB89PV650A 。
在MB89650A和MB89650AR系列之间的区别4
电气规格/电气特性
在MB89650AR系列电气规格都是相同的是， MB89650A系列。
这两个系列的电气特性大致相同。
振荡电路型
在MB89650A系列，使用外部时钟的电路类型的不同使用晶体或陶瓷的从
谐振器如下。
在MB89650AR系列电路类型在使用外部时钟，即使晶体或陶瓷电路类型
谐振器被选择。
存储器存取区域等各种规格都MB89650A和MB89650AR系列的是相同的。
4
MB89650AR系列
I / O电路类型
TYPE
A
X1
电路
备注
晶体或陶瓷振荡型（主时钟）
MB89PV650A和MB89P657A ，外部时钟输入
MB89653A的/选择版本655A / 656A / 657A
在大约一个振荡反馈电阻
1 MΩ / 5.0 V
X0
待机控制信号
X1
X0
晶体或陶瓷振荡型（主时钟）
晶体或陶瓷振荡器选择版本
MB89653A/655A/656A/657A
在大约一个振荡反馈电阻
1 MΩ / 5.0 V
待机控制信号
s
书信MB89650A和MB89650AR序列之间
该MB89650AR系列是MB89650A系列的缩小版。
在MB89650A和MB89650AR系列包括以下产品：
MB89650A系列
MB89650AR
系列
MB89653A
MB89653A
R
MB89655A
MB89655A
R
MB89656A
MB89656A
R
MB89657A
MB89657A
R
MB89P657
A
MB89PV650
A
5
富士通半导体
数据表
DS07-12530-2E
8位微控制器专有
CMOS
F MC- 8L MB89650AR系列
MB89653AR/655AR/656AR/657AR/P657A
MB89PV650A
s
描述
该MB89650AR系列已发展为通用版本在F的
2
MC * -8L家族组成的
专有的8位单芯片微控制器。
除了紧凑的指令集，该微控制器含有多种外围功能，如双
时钟控制系统， 5的运行速度的控制级，定时器， PWM定时器，一个串行接口，一个A / D转换器，
外部中断，一个LCD控制器/驱动器，和一个计时预分频器。
*: F
2
MC代表富士通灵活的微控制器。
2
s
特点
F
2
MC- 8L系列CPU内核
双时钟控制系统
最大存储空间： 64K字节
最短执行时间： 0.4
s/10
兆赫
中断处理时间： 3.6
s/10
兆赫
I / O端口：最多64个通道
21位的时基计数器
（续）
s
包
100引脚塑料LQFP
100引脚塑料QFP
100引脚陶瓷MQFP
(FPT-100P-M05)
(FPT-100P-M06)
(MQP-100C-P02)
MB89650AR系列
（续）
8位PWM定时器：2通道（最多4个通道，可用于输出。 ）
8位/ 16位定时器/计数器： 4通道（ 16位
×
2个通道）
8位串行I / O ：1通道
8位A / D转换器： 8通道
=外部中断1
4个独立通道与边缘检测功能
外部中断2 （唤醒功能）
十二个“ L”电平，中断通道
计时预分频器
LCD控制器/驱动器： 16至32段
×
2至4个COM
上电复位功能
低功耗模式（时钟模式，计时模式，睡眠模式，停止模式）
LQFP -100和QFP -100封装
s
产品阵容
产品型号
MB89653AR MB89655AR
参数
MB89656AR
MB89657AR
MB89P657A
MB89PV650A
分类
大批量生产的产品
（掩膜ROM产品）
肩扛/
评价
一次性
产品（用于
PROM产品
评价
发展）
32 K
×
8位
（内部
舞会，
程序设计
与常规 -
用途
EPROM
程序员）
1 K
×
8位
ROM大小
8 K
×
8位
（内部
面膜
只读存储器）
16 K
×
8位
（内部
面膜
只读存储器）
24 K
×
8位
（内部
面膜
只读存储器）
32 K
×
8位
（内部
面膜
只读存储器）
32 K
×
8位
（外部ROM ）
RAM大小
液晶显示器
内存
256
×
8位
512
×
8位
768
×
8位
16
×
8位
CPU功能
的指令数
指令位长
指令长度
数据位长度
最小执行时间
中断处理时间
输入端口
输出端口
I / O端口
总
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
136
8位
1 3个字节
1 ，如图8所示， 16位
0.4
s/10
MHz至6.4
s/10
兆赫， 61.0
s/32.768
千赫
3.6
s/10
MHz至57.6
s/10
兆赫， 549.3
s/32.768
千赫
8 （全部也可以作为外设）。
8 （全部也可以作为外设）。
48 （所有也可作为外设）。
64
端口
8位定时器1 ，
8位定时器2
8位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
16位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
当作为一个8位定时器运行2个输出通道已启用。
（续）
2
MB89650AR系列
（续）
产品型号
参数
MB89653AR MB89655AR MB89656AR MB89657AR
MB89P657A
MB89PV650A
8位定时器3 ，
8位定时器4
时钟计时器
8位PWM定时器1 ，
8位PWM定时器2
8位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
16位定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.8 12.8
s)
当作为一个8位定时器运行2个输出通道已启用。
21位
×
1 （主时钟模式） / 15位
×
1 （ 32.768千赫）
8位重载定时器操作（切换输出能力，工作时钟周期： 0.4
s
3.3毫秒）
8位分辨率PWM模式（转换周期： 102
s
至839毫秒）
8位PWM定时器1和8位PWM定时器2可以输出2声道。
8位
LSB优先/ MSB优先选择能力
从四个传送时钟的一个时钟选择
（一个外部移位时钟，三个内部移位时钟： 0.8
s,
3.2
s,
12.8
s)
8位分辨率
×
8通道
A / D转换模式（转换时间： 18
s)
检测模式（转换时间： 5
s)
连续激活通过能在内部定时器
参考电压输入
4个独立通道（边选择）
上升沿/下降沿可选择性
为唤醒从停止/睡眠模式下使用也。 （边缘检测也允许在停止模式下）。
“L”级的中断
×
12路
副时钟模式，睡眠模式，计时模式和停止模式
CMOS
2.2 V至6.0 V
2.7 V至6.0 V
MBM27C256A-
20TVM
8位串行I / O
8-bit
A / D转换器
外
中断1
外
中断2
（唤醒功能）
待机模式
过程
操作
电压*
EPROM使用
*：与诸如工作频率的条件不同而不同。 （见“S电气特性” 。 ）
在MB89PV650A的情况下，该电压随EPROM的使用的限制。
s
包装及相应的产品
MB89653AR
MB89655AR
MB89656AR
MB89657AR
MB89P657A
包
MB89PV650A
FPT-100P-M05
FPT-100P-M06
MQP-100C-P02
：可用
×
：无法使用
×
×
×
注：有关每个包的详细信息，请参见“S封装尺寸” 。
3
MB89650AR系列
s
产品差异
1.内存大小
在使用该产品搭载了评估，确认将实际使用的产品的不同之处。
所以要特别小心以下几点：
在MB89653AR ，不能被使用的寄存器组的上半部。
在MB89P657A ，程序区从地址8006开始
H
但是，从MB89PV650A和MB89657AR
从8000开始
H
.
（在MB89P657A ，解决8000
H
到8005
H
包括该选项设置区域，选项可以读
通过阅读这些地址。在MB89PV650A和MB89657A ，解决8000
H
到8005
H
也可以是
作为程序的ROM。但是，不要为了保持兼容性使用这些地址
MB89P657A.)
堆栈区等，设置在RAM中的上限。
2.电流消耗
在MB89PV650A的情况下，添加的电流被连接到顶部插座EPROM的消耗。
当在低速操作时，用一个OTPROM （一次性PROM）或一个EPROM的产品会消耗
比具有掩模ROM的产品的更多的电流。
然而，电流消耗在睡眠/停止模式中是相同的。 （有关详细信息，请参阅章节
“S电气特性”和“s示例特征。 ” ）
3.蒙版选项
可被选择作为选择，以及如何指定这些选项的功能各不相同的产品。
在使用前检查选项部分“S蒙版选项”。
所以要特别小心以下几点：
一个上拉电阻不能为P70到P75的MB89P657A进行设置。对这款产品，一个上拉电阻必须
在一组4个位用于P14至P17 ， P40至P43 ，和P44至P47中选择。
一个上拉电阻是不可选的P30到P37和P40到P47 ，如果它们被用作LCD引脚。
选项固定在MB89PV650A 。
在MB89650A和MB89650AR系列之间的区别4
电气规格/电气特性
在MB89650AR系列电气规格都是相同的是， MB89650A系列。
这两个系列的电气特性大致相同。
振荡电路型
在MB89650A系列，使用外部时钟的电路类型的不同使用晶体或陶瓷的从
谐振器如下。
在MB89650AR系列电路类型在使用外部时钟，即使晶体或陶瓷电路类型
谐振器被选择。
存储器存取区域等各种规格都MB89650A和MB89650AR系列的是相同的。
4
MB89650AR系列
I / O电路类型
TYPE
X1
电路
备注
晶体或陶瓷振荡型（主时钟）
MB89PV650A和MB89P657A ，外部时钟输入
MB89653A的/选择版本655A / 656A / 657A
在大约一个振荡反馈电阻
1 MΩ / 5.0 V
MB89653AR / 655AR / 656AR / 657AR
X0
A
X1
待机控制信号
X0
晶体或陶瓷振荡型（主时钟）
晶体或陶瓷振荡器选择版本
MB89653A/655A/656A/657A
在大约一个振荡反馈电阻
1 MΩ / 5.0 V
待机控制信号
s
书信MB89650A和MB89650AR序列之间
该MB89650AR系列是MB89650A系列的缩小版。
在MB89650A和MB89650AR系列包括以下产品：
MB89650A
系列
MB89650AR
系列
MB89653A
MB89653AR
MB89655A
MB89655AR
MB89656A
MB89656AR
MB89657A
MB89P657A
MB89657AR
MB89PV650A
5
QQ：2580480828 复制
