最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
功率耗散（ 1 ） TC = 75℃
线性降额以上温度上限= 75℃ @
连续集电极电流 - （ 2 ）
最高结温
储存温度
热阻，结到外壳
符号
VCEO
VCBO
VEBO
PD （最大）
IC
TJMAX
TSTG
R
θJC
MMBR951LT1
MMBR951ALT1
10
20
1.5
0.322
4.29
100
150
- 55 + 150
233
MRF9511LT1
10
20
1.5
0.322
4.29
100
150
- 55 + 150
233
MRF957T1
10
20
15
0.227
3.03
100
150
- 55 + 150
330
单位
VDC
VDC
VDC
瓦
毫瓦/°C的
mA
°C
°C
° C / W
器件标识
MRF9511LT1 = 11
MMBR951ALT1 = AAG
MMBR951LT1 = 7Z
MRF957T1 = B
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
(3)
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 0.1 mA时， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1毫安，IE = 0）
发射Cuto FF电流
（VEB = 1.0 V时， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 10V ， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
IEBO
ICBO
10
20
—
—
13
25
—
—
—
—
0.1
0.1
VDC
VDC
μAdc
μAdc
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA）的
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA）的
的hFE
所有
MMBR951ALT1
50
75
—
—
200
150
—
动态特性
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ VCE = 6.0 V， IC = 30 mA时， F = 1.0千兆赫）
MRF9511LT1 ， MMBR951LT1 ， MMBR951ALT1
MRF957T1
建行
fT
—
—
8.0
9.0
—
—
—
0.45
1.0
pF
GHz的
注意事项：
1.为了计算结温TJ使用= （ PD个R
θJA
） + TCASE 。外壳温度测量集电极紧邻
以包体。
2. IC - 连续（ MTBF
≈
10年）。
3.脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2％的脉冲。
MMBR951 MRF957 MRF9511系列
2
摩托罗拉RF设备数据
性能特点
MRF9511LT1
条件
y
符号
民
插入增益
（ VCE = 6.0 V， IC = 30 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 30 mA时， F = 2.0千兆赫）
（ VCE = 5.0 V ， IC = 30 mA时， F = 1.5千兆赫）
最大单向增益（ 1 ）
（ VCE = 8.0 V， IC = 30 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 8.0 V， IC = 30 mA时， F = 2.0千兆赫）
（ VCE = 5.0 V ， IC = 30 mA时， F = 1.5千兆赫）
噪声系数 - 最小（图9 ）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 2.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.5千兆赫）
在最小的NF相关增益（图9）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 2.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.5千兆赫）
噪声系数 - 50欧姆源
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
注意：
1.最大单向增益是GUmax =
|S21|2
—
—
—
GU最大
—
—
—
NFmin
—
—
—
GNF
—
—
—
NF50
—
14
9.0
—
1.9
—
—
—
2.8
—
—
—
—
13
7.5
—
1.9
—
—
—
2.8
—
—
—
—
11.8
—
9.0
1.9
—
—
—
2.8
dB
1.3
2.1
—
—
—
—
—
—
—
1.3
2.1
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
2.0
—
—
—
dB
17
10.5
—
—
—
—
—
—
—
14
8.0
—
—
—
—
—
—
—
14
—
10.8
—
—
—
dB
14.5
9.0
—
—
—
—
—
—
—
12.5
7.0
—
—
—
—
—
—
—
13.3
—
10.1
—
—
—
dB
典型值
最大
MMBR951LT1
MMBR951ALT1
民
典型值
最大
民
MRF957T1
单位
典型值
最大
dB
|S21|2
(1
–
|S11|2)(1
–
|S22|2)
摩托罗拉RF设备数据
MMBR951 MRF957 MRF9511系列
3
典型特征
MMBR951LT1 ， MMBR951ALT1 ， MRF9511LT1
10
5
建行，电容（pF ）
F = 1 MHz的
的hFE ， DC电流增益
VCE = 8 V
2
1
0.5
200
100
50
0.2
0.1
1
2
5
10
20
VCB ，反向电压（V ）
50
100
20
10
1
2
3
5
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
图1.集电极 - 基极电容
与电压
12
F T ，增益带宽积（千兆赫）
10
8
6
4
2
0
VCE = 8 V
1
2
3
5
7
10
20
30
70
100
16
14
12
图2.直流电流增益随
集电极电流
| S 21 | 2 ，插入增益（dB ）
MRF9511LT1
10
8
6
4
MMBR951LT1
VCE = 8 V
F = 1 GHz的
1
2
3
5
7
10
20
30
50 70
100
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图3.增益带宽积与
集电极电流
图4.插入增益与集电极电流
MMBR951 MRF957 MRF9511系列
4
摩托罗拉RF设备数据
