这个版本：三月6 2000
半导体
MSC23Q83657D-xxBS18/DS18
8,388,608字×36位的动态RAM模块：与EDO快页模式类型
描述
该MSC23Q83657D - xxBS18 / DS18是8388608字×36位CMOS动态随机存取存储器模块
这是在SOJ组成的16 16Mb的DRAM中（ 4Mx4 ）在SOJ包和两个16Mb的DRAM中（4 / CAS 4Mx4 ）
装有18去耦电容包。这是一个72脚单列直插式内存模块。该模块
支持需要高密度和存储内存的大容量需要的任何应用程序。
特点
8,388,608字×36位的组织
72脚单列直插式内存模块
MSC23Q83657D - xxBS18 ：金标签
MSC23Q83657D - xxDS18 ：焊片
单5V电源供电， ±10 ％容差
输入
： TTL兼容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 2048cycles / 32ms的
快页模式与EDO能力
/ CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23Q83657D-60BS18/DS18
MSC23Q83657D-70BS18/DS18
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
周期
（分）
104ns
124ns
功率耗散（最大）。
操作
4703mW
4208mW
待机
99mW
家庭
1/9
半导体
MSC23Q83657D
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
任何引脚相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
* ： TA = 25 ℃，
等级
0.5
到V
CC
+
0.5
0.5
7.0
50
18
0到70
40
到125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
0.3
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
V
CC
+
0.3
0.8
单位
V
V
V
V
电容
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ A0 - A10 ）
输入电容（ / WE）
输入电容（ / RAS0 - / RAS3 ）
输入电容（ / CAS0 - / CAS3 ）
I / O电容（ DQ0 - DQ35 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
I / O
典型值。
马克斯。
125
140
43
50
26
单位
pF
pF
pF
pF
pF
5/9
