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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第59页 > NE25139-T1
通用
双栅砷化镓MESFET
特点
适合用作RF放大器
UHF调谐器
低C
RSS
:
0.02 PF（ TYP ）
高GPS ：
20分贝（典型值） ，900 MHz时
低NF ：
1.1分贝典型值在900MHz
L
G1
= 1.0
m,
L
G2
= 1.5
m,
W
G
= 400
m
离子注入
可在磁带& REEL或散装
功率增益，G
PS
（ dB）的
20
NE25139
功率增益和噪声系数对比
漏源极电压
G
PS
10
V
G2S
= 1 V
V
G2S
= 0.5 V
V
G2S
= 2 V
10
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
5
NF
0
0
5
10
0
描述
该NE251是双栅砷化镓场效应管设计成提供
在其作为一个混频器， AGC放大器，或低的应用灵活性
噪声放大器。作为一个例子，通过短接所述第二栅极
到源极，更高的增益，可实现比使用单栅
MESFET的。此装置是在一个小型的模具（表面可用
坐骑）封装。
漏源极电压，V
DS
(V)
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
PS
BV
DSX
I
DSS
V
G1S （OFF）的
V
G2S （OFF）的
I
G1SS
I
G2SS
|Y
FS
|
C
国际空间站
C
RSS
参数和条件
噪声系数在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V，I
D
= 10毫安，
F = 900兆赫
功率增益在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V，I
D
= 10毫安，
F = 900兆赫
漏极至源极击穿电压在V
G1S
= -4 V,
V
G2S
= 0, I
D
= 10
A
饱和漏极电流在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0 V, V
G1S
= 0 V
1号门到源截止电压为V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 0 V，I
D
= 100
A
2号门到源截止电压为V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V，I
D
= 100
A
1号门反向电流在V
DS
= 0, V
G1S
= -4V, V
G2S
= 0
门2反向电流在V
DS
= 0, V
G2S
= -4V, V
G1S
= 0
在V正向转移导纳
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1.0千赫
输入电容在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V，I
D
= 10毫安，
F = 1 MHz的
在V反向传输电容
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1兆赫
单位
dB
dB
V
mA
V
V
A
A
mS
pF
pF
18
0.5
25
1.0
0.02
16
13
5
-3.5
-3.5
10
10
35
1.5
0.03
20
40
民
NE25139
39
典型值
1.1
20
最大
2.5
美国加州东部实验室
噪声系数NF （ dB的
)
NE25139
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
1号门至源极电压
2号门至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13
-4.5
-4.5
I
DSS
200
125
-55到+125
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
(V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0 V，I
DS
= 10 mA）的
频率。
（千兆赫）
0.5
0.9
1.5
2.0
3.0
4.0
NF
选择
（ dB）的
0.9
1.2
1.5
1.9
2.5
3.3
G
A
（ dB）的
18.5
16.0
14.6
12.5
11.0
9.5
0.9
0.82
0.71
0.55
0.34
0.25
Γ
选择
MAG
昂
18
28
45
75
116
154
Rn/50
1.9
1.2
0.9
0.67
0.5
0.4
注意：
1.操作超过这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25
°C)
总功耗对比
环境温度
250
漏电流与
1号门至源极电压
30
V
DS
= 5V
总功率耗散，P
T
（ mW）的
自由的空气
漏电流，我
D
（MA ）
200
V
G2S
= 1.0V
20
150
0.5 V
10
100
0V
50
-0.5 V
0
0
25
50
75
100
125
0
-2.0
-1.0
0
+1.0
环境温度，T
A
(°C)
正向转移导纳主场迎战
1号门至源极电压
1号门至源极电压，V
G1S
(V)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳， | Y
FS
| （女士）
正向转移导纳， | Y
FS
| （女士）
30
V
DS
= 5V
F = 1kHz时
30
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
V
G2S
= 1.0 V
20
20
V
G2S
= 1.0
10
0.5 V
-0.5 V
0
-2.0
-1.0
0
+1.0
0V
10
V
G2S
= 0.5 V
0
0
10
20
30
1号门至源极电压，V
G1S
(V)
漏电流，我
D
（MA ）
NE25139
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
输入电容与
2号门至源极电压
2.0
V
DS
= 5 V
F = 1kHz时
功率增益和噪声系数对比
2号门至源极电压
30
V
DS
= 5 V
V
G2S
= 1 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
1
10
输入电容，C
国际空间站
（PF ）
15
G
PS
V
G2S
= 1 V时我
D
= 10毫安
1
0
5
-15
NF
-30
1.0
V
G2S
= 1 V时我
D
= 5毫安
1
-45
-1.0
0
+1.0
0
-2.0
-1.0
0
+1.0
+2.0
-3.0
2号门至源极电压，V
G2S
(V)
注意：
1.初始偏置条件。 V
G1S
集获得
指定的漏电流。
2号门至源极电压，V
G2S
(V)
注意：
1.初始偏置条件。 V
G1S
集获得
指定的漏电流。
功率增益和噪声系数对比
漏电流
25
V
DS
= 5 V
V
G2S
= 1 V
F = 900兆赫
20
10
15
G
PS
5
10
5
NF
0
0
5
10
0
漏电流，我
D
（MA ）
噪声系数NF （ dB）的
功率增益，G
P
（ dB）的
噪声系数NF （ dB）的
功率增益，G
P
（ dB）的
NE25139
非线性模型
单位模型参数
参数
时间
电容
电感
阻力
电压
当前
单位
秒
法拉
亨利
欧
伏
安培
FET非线性模型参数
(1)
参数
UGW
NGF
IS
N
RG
RD
RS
RIS
RID
头
CDSO
C11O
C11TH
VINFL
DELTGS
DELTDS
LAMBDA
C11DELT
C12O
C12SAT
CGDSAT
KBK
VBR
NBR
（ 1 ）天秤座EEFET3型号
FET1
100e-6
4
8.78e-10
1.33
0
0
0
0
0
5.17e-12
1.19e-13
6.1e-13
1.6e-13
-1.1
1.82
0.682
\0.036
0
0
6.81e-14
6.81e-14
0.03
6.5
2
FET2
100e-6
4
8.78e-10
1.33
0
0
0
0
0
5.17e-12
1.19e-13
6.1e-13
1.6e-13
-1.1
1.82
0.682
0.036
0
0
6.81e-14
6.81e-14
0.03
6.5
2
参数
IDSOC
RDB
CBS
GDBM
KDB
超深亚微米
GMMAXAC
GAMMAAC
KAPAAC
PEFFAC
VTOAC
VTSOAC
VDELTAC
GMMAX
伽玛
KAPA
Peff
VTO
VTSO
VDELT
VCH
VSAT
VGO
VDSO
FET1
0.07
1.0e9
0.16e-12
0.005
11.1
7.1e-11
0.0475
0.0107
0.0001
44.9
-1.584
-100
0.062
0.0554
0.006
0.046
1.636
-1.57
-100
0.135
1
1.119
-0.654
3
FET2
0.07
1.0e9
0.16e-12
0.005
11.1
7.1e-11
0.0875
0.0051
0.0052
44.9
-1.545
-100
0.062
0.0304
0.005
0.0005
1.636
-1.5
-10
0.1
1
1.119
-0.0035
10
NE25139
非线性模型
概要
PORT
Pdrain
端口= 2
帽
Cg2d
C = 0.15
水库
Rd
R = 4.58
PORT
P1
端口= 3
IND
Lg2
L = 0.40
水库
Rg2
R = 1.44
EEFET3
FET2
UGW=0
N=0
FILE = NE720_b.mdif
MODE =非线性
帽
C12
C = 0.32
帽
Cg1d
C = 5.64e -03
水库
R12
R = 1.13
水库
RDS
R = 711
PORT
Pgate1
端口= 1
IND
Lg1
L = 1.65
水库
Rg1
R = 1.52
EEFET3
FET1
UGW=0
N=0
FILE = NE720_b.mdif
MODE =非线性
帽
CDS
C = 7.60e -02
帽
Cg1s
C = 0.41
水库
Rs
R = 5.79
帽
Cg2s
C = 0.39
IND
Ls
L = 1.78
单位
参数
电容
电感
阻力
单位
皮法
纳亨
欧
PORT
P4
端口= 4
注意事项：
1.本UGW价值尺度第1页上的参数。
2.该N值是栅指的数量和规模的
模型参数第1页。
型号齐全
频率：0.1至4GHz的
偏见：
V
DS
= 5 V ， Vg的
1
S = -0.785 V， Vg的
2
S = 0 V，I
D
= 10毫安
通用
双栅砷化镓MESFET
特点
适合用作RF放大器
UHF调谐器
低C
RSS
:
0.02 PF（ TYP ）
高GPS ：
20分贝（典型值） ，900 MHz时
低NF ：
1.1分贝典型值在900MHz
L
G1
= 1.0
m,
L
G2
= 1.5
m,
W
G
= 400
m
离子注入
可在磁带& REEL或散装
功率增益，G
PS
（ dB）的
20
NE25139
功率增益和噪声系数对比
漏源极电压
G
PS
10
V
G2S
= 1 V
V
G2S
= 0.5 V
V
G2S
= 2 V
10
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
5
NF
0
0
5
10
0
描述
该NE251是双栅砷化镓场效应管设计成提供
在其作为一个混频器， AGC放大器，或低的应用灵活性
噪声放大器。作为一个例子，通过短接所述第二栅极
到源极，更高的增益，可实现比使用单栅
MESFET的。此装置是在一个小型的模具（表面可用
坐骑）封装。
漏源极电压，V
DS
(V)
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
PS
BV
DSX
I
DSS
V
G1S （OFF）的
V
G2S （OFF）的
I
G1SS
I
G2SS
|Y
FS
|
C
国际空间站
C
RSS
参数和条件
噪声系数在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V，I
D
= 10毫安，
F = 900兆赫
功率增益在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V，I
D
= 10毫安，
F = 900兆赫
漏极至源极击穿电压在V
G1S
= -4 V,
V
G2S
= 0, I
D
= 10
A
饱和漏极电流在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0 V, V
G1S
= 0 V
1号门到源截止电压为V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 0 V，I
D
= 100
A
2号门到源截止电压为V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V，I
D
= 100
A
1号门反向电流在V
DS
= 0, V
G1S
= -4V, V
G2S
= 0
门2反向电流在V
DS
= 0, V
G2S
= -4V, V
G1S
= 0
在V正向转移导纳
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1.0千赫
输入电容在V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V，I
D
= 10毫安，
F = 1 MHz的
在V反向传输电容
DS
= 5 V, V
G2S
= 1 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1兆赫
单位
dB
dB
V
mA
V
V
A
A
mS
pF
pF
18
0.5
25
1.0
0.02
16
13
5
-3.5
-3.5
10
10
35
1.5
0.03
20
40
民
NE25139
39
典型值
1.1
20
最大
2.5
美国加州东部实验室
噪声系数NF （ dB的
)
NE25139
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
1号门至源极电压
2号门至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13
-4.5
-4.5
I
DSS
200
125
-55到+125
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
(V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0 V，I
DS
= 10 mA）的
频率。
（千兆赫）
0.5
0.9
1.5
2.0
3.0
4.0
NF
选择
（ dB）的
0.9
1.2
1.5
1.9
2.5
3.3
G
A
（ dB）的
18.5
16.0
14.6
12.5
11.0
9.5
0.9
0.82
0.71
0.55
0.34
0.25
Γ
选择
MAG
昂
18
28
45
75
116
154
Rn/50
1.9
1.2
0.9
0.67
0.5
0.4
注意：
1.操作超过这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25
°C)
总功耗对比
环境温度
250
漏电流与
1号门至源极电压
30
V
DS
= 5V
总功率耗散，P
T
（ mW）的
自由的空气
漏电流，我
D
（MA ）
200
V
G2S
= 1.0V
20
150
0.5 V
10
100
0V
50
-0.5 V
0
0
25
50
75
100
125
0
-2.0
-1.0
0
+1.0
环境温度，T
A
(°C)
正向转移导纳主场迎战
1号门至源极电压
1号门至源极电压，V
G1S
(V)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳， | Y
FS
| （女士）
正向转移导纳， | Y
FS
| （女士）
30
V
DS
= 5V
F = 1kHz时
30
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
V
G2S
= 1.0 V
20
20
V
G2S
= 1.0
10
0.5 V
-0.5 V
0
-2.0
-1.0
0
+1.0
0V
10
V
G2S
= 0.5 V
0
0
10
20
30
1号门至源极电压，V
G1S
(V)
漏电流，我
D
（MA ）
NE25139
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
输入电容与
2号门至源极电压
2.0
V
DS
= 5 V
F = 1kHz时
功率增益和噪声系数对比
2号门至源极电压
30
V
DS
= 5 V
V
G2S
= 1 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
1
10
输入电容，C
国际空间站
（PF ）
15
G
PS
V
G2S
= 1 V时我
D
= 10毫安
1
0
5
-15
NF
-30
1.0
V
G2S
= 1 V时我
D
= 5毫安
1
-45
-1.0
0
+1.0
0
-2.0
-1.0
0
+1.0
+2.0
-3.0
2号门至源极电压，V
G2S
(V)
注意：
1.初始偏置条件。 V
G1S
集获得
指定的漏电流。
2号门至源极电压，V
G2S
(V)
注意：
1.初始偏置条件。 V
G1S
集获得
指定的漏电流。
功率增益和噪声系数对比
漏电流
25
V
DS
= 5 V
V
G2S
= 1 V
F = 900兆赫
20
10
15
G
PS
5
10
5
NF
0
0
5
10
0
漏电流，我
D
（MA ）
噪声系数NF （ dB）的
功率增益，G
P
（ dB）的
噪声系数NF （ dB）的
功率增益，G
P
（ dB）的
NE25139
非线性模型
单位模型参数
参数
时间
电容
电感
阻力
电压
当前
单位
秒
法拉
亨利
欧
伏
安培
FET非线性模型参数
(1)
参数
UGW
NGF
IS
N
RG
RD
RS
RIS
RID
头
CDSO
C11O
C11TH
VINFL
DELTGS
DELTDS
LAMBDA
C11DELT
C12O
C12SAT
CGDSAT
KBK
VBR
NBR
（ 1 ）天秤座EEFET3型号
FET1
100e-6
4
8.78e-10
1.33
0
0
0
0
0
5.17e-12
1.19e-13
6.1e-13
1.6e-13
-1.1
1.82
0.682
\0.036
0
0
6.81e-14
6.81e-14
0.03
6.5
2
FET2
100e-6
4
8.78e-10
1.33
0
0
0
0
0
5.17e-12
1.19e-13
6.1e-13
1.6e-13
-1.1
1.82
0.682
0.036
0
0
6.81e-14
6.81e-14
0.03
6.5
2
参数
IDSOC
RDB
CBS
GDBM
KDB
超深亚微米
GMMAXAC
GAMMAAC
KAPAAC
PEFFAC
VTOAC
VTSOAC
VDELTAC
GMMAX
伽玛
KAPA
Peff
VTO
VTSO
VDELT
VCH
VSAT
VGO
VDSO
FET1
0.07
1.0e9
0.16e-12
0.005
11.1
7.1e-11
0.0475
0.0107
0.0001
44.9
-1.584
-100
0.062
0.0554
0.006
0.046
1.636
-1.57
-100
0.135
1
1.119
-0.654
3
FET2
0.07
1.0e9
0.16e-12
0.005
11.1
7.1e-11
0.0875
0.0051
0.0052
44.9
-1.545
-100
0.062
0.0304
0.005
0.0005
1.636
-1.5
-10
0.1
1
1.119
-0.0035
10
NE25139
非线性模型
概要
PORT
Pdrain
端口= 2
帽
Cg2d
C = 0.15
水库
Rd
R = 4.58
PORT
P1
端口= 3
IND
Lg2
L = 0.40
水库
Rg2
R = 1.44
EEFET3
FET2
UGW=0
N=0
FILE = NE720_b.mdif
MODE =非线性
帽
C12
C = 0.32
帽
Cg1d
C = 5.64e -03
水库
R12
R = 1.13
水库
RDS
R = 711
PORT
Pgate1
端口= 1
IND
Lg1
L = 1.65
水库
Rg1
R = 1.52
EEFET3
FET1
UGW=0
N=0
FILE = NE720_b.mdif
MODE =非线性
帽
CDS
C = 7.60e -02
帽
Cg1s
C = 0.41
水库
Rs
R = 5.79
帽
Cg2s
C = 0.39
IND
Ls
L = 1.78
单位
参数
电容
电感
阻力
单位
皮法
纳亨
欧
PORT
P4
端口= 4
注意事项：
1.本UGW价值尺度第1页上的参数。
2.该N值是栅指的数量和规模的
模型参数第1页。
型号齐全
频率：0.1至4GHz的
偏见：
V
DS
= 5 V ， Vg的
1
S = -0.785 V， Vg的
2
S = 0 V，I
D
= 10毫安
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NCV33375ST1.8T3G
NP82N04NDG
NX8562LF342-BA
NSF20504
NJVMJD44H11RLG
NAND512W3A2CV6
NTE5643
NJU6355EM
NTE5230A
NTE3008
NTC1110-20MHZ
NE59333
NM24C16UFLZEN
NCV7513
NX8570SC589-BA
NM1620E255
NAND512R3A0CN1F
NE3508M04
NRN13C104GTC
NZT651
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