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BFN 23
PNP硅高压晶体管
q
适合于在电视机视频输出级
q
q
q
q
BFN 23
而开关电源
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
低电容
互补型： BFN 22 （ NPN ）
TYPE
BFN 23
记号
HCS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-F1064
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压，
R
BE
= 2.7 k
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 71 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
290
≤
220
符号
V
CE0
V
CB0
V
CER
V
EB0
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
值
250
250
250
5
50
100
360
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BFN 23
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
R
BE
= 2.7 k
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V
V
CB
= 200 V,
T
A
= 150 C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 250 V,
R
BE
= 2.7 k
V
CE
= 250 V,
T
A
= 150 C,
R
BE
= 2.7 k
发射基截止电流
V
EB
= 5 V
直流电流增益
1)
I
C
= 25毫安，
V
CE
= 20 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
–
–
100
0.8
–
–
兆赫
pF
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
（ BR ） CER
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
CER
–
–
I
EB0
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
–
50
–
–
–
–
–
–
–
–
1
50
10
–
0.5
1
–
V
–
–
100
20
nA
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
250
250
250
5
–
–
–
–
–
–
–
–
V
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BFN 23
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
输出电容
C
敖包
=
f
(V
CE
)
f
= 1兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
3
BFN 23
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 20 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 200 V
半导体集团
4
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QEUM5350JN3016
QZX563C6V8C-7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    Q62702-F250
    -
    -
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    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
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    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q62702-F250
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    Q62702-F250
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    -
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