GaAlAs的- Lumineszenzdiode （ 660纳米）
的GaAlAs发光二极管（ 660 nm）的
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
SFH 4860
Wesentliche Merkmale
Hergestellt IM Schmelzepitaxieverfahren
Kathode galvanisch MIT数字高程模型Gehuseboden
verbunden
霍厄Zuverlssigkeit
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
Hermetisch dichtes Metallgehuse
Anwendungen
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
IR- Gertefernsteuerungen
SENSORIK
Lichtgitter
典型值
TYPE
SFH 4860
Bestellnummer
订购代码
Q62702P5053
特点
制造的液相外延工艺
阴极被电连接到所述壳体
高可靠性
匹配所有的硅光电探测器
密封包装
应用
光中断
红外遥控器
传感器技术
光幕
Gehuse
包
18 A3 DIN 41876 （ TO- 18 ） ， Bodenplatte ， Plankappe ，
Anschlüsse IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
’’)
Anodenkennzeichnung ：核苷酸酶时Gehuseboden
18 A3 DIN 870 （ TO- 18 ） ，平板玻璃帽，引线间距
2.54 mm (
1
/
10
’’)
阳极制作：投影在封装底部
2007-12-07
1
SFH 4860
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
=
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 50毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 50毫安
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯90 ％
奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 50毫安，
R
L
= 50
开关时间，
Ι
e
从10％到90％，从
90 ％到10 ％ ，
I
F
= 50毫安，
R
L
= 50
2007-12-07
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 100
125
3
50
1
140
450
160
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
R
thJC
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
660
统一性
单位
nm
λ
25
nm
±
50
0.106
0.325
×
0.325
100
毕业生
度。
mm
2
mm
ns
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
2
SFH 4860
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
参数
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
电容
Durchlaspannung ，
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
正向电压
Sperrstrom ，
V
R
= 3V
反向电流
Gesamtstrahlungsflu ，
I
F
= 50mA时
t
p
= 20毫秒
总辐射通量
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 50毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 50毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
25
2(≤ 2.8)
0.01 (≤ 10)
3
– 0.4
统一性
单位
pF
V
A
mW
%/K
C
o
V
F
I
R
Φ
e
TC
I
TC
V
TC
λ
–3
+ 0.16
毫伏/ K
纳米/ K
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
Werte
值
≥
0.63
1.3
15
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
ê MIN
I
ê TYP
I
ê TYP
2007-12-07
3
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