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RJK5014DPP
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.325
Ω
(典型值) 。 (在我
D
= 9.5 A,V
GS
= 10 V , TA = 25
°C)
低漏电流
高速开关
REJ03G1530-0200
Rev.2.00
2009年12月2日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AB -A
(包名称: TO- 220FN )
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
PW
10
μs,
占空比
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ,总胆固醇
150°C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
DNote4
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
500
±30
19
38
19
38
4
0.88
35
3.57
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1530-0200 Rev.2.00 2009年12月2日
第1页6
RJK5014DPP
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 5.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
500
3.0
典型值
0.325
1800
190
24
36
41
93
39
46
9
20
0.91
320
最大
1
±0.1
4.5
0.390
1.55
单位
V
μA
μA
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 9.5 A,V
GS
= 10 V
Note5
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 9.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 26.3
Ω
RG = 10
Ω
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 19 A
I
F
= 19 A,V
GS
= 0
Note5
I
F
= 19 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1530-0200 Rev.2.00 2009年12月2日
第2 6
RJK5014DPP
主要特点
最高安全工作区
100
10
典型的输出特性
40
TA = 25°C
脉冲测试
PW
μ
s
10 V
6V
5.8 V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
=
10
0
μ
s
30
1
操作在此
区域由限定
R
DS ( ON)
20
5.6 V
5.4 V
0.1
10
0.01
TC = 25°C
1次射门
1
10
100
1000
5.2 V
V
GS
= 5 V
0.001
0.1
0
0
4
8
12
16
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流(典型值)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
10
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
典型的传输特性
20
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
TC =
25°C
25°C
75°C
1
0.1
1
10
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线(典型)
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
0.8脉冲测试
体漏二极管的反向
恢复时间(典型)
1000
0.6
反向恢复时间trr ( NS )
1
100
0.4
0.2
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
10
1
10
100
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度( ° C)
反向漏电流I
DR
(A)
REJ03G1530-0200 Rev.2.00 2009年12月2日
第3页6
RJK5014DPP
典型的电容比。
漏极至源极电压(典型值)
漏极至源极电压V
DS
(V)
10000
西塞
动态输入特性(典型)
I
D
= 19 A
TA = 25
°C
V
GS
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
V
DS
1000
600
12
100
科斯
400
8
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
TA = 25°C
50
100
150
CRSS
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
20
40
60
80
4
1
0
200
250
0
0
0
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg ( NC )
40
门源截止电压V
GS ( OFF )
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压(典型值)
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= 0 V
TA = 25
°C
脉冲测试
30
门源截止电压
与外壳温度(典型)
5
V
DS
= 10 V
4
3
20
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
2
1
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
外壳温度
TC ( ℃)
REJ03G1530-0200 Rev.2.00 2009年12月2日
第4 6
栅极至源极电压V
GS
(V)
800
16
电容C (PF )
RJK5014DPP
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
10
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
θ
CH - C ( T) =
γ
S( T)
θ
CH - C
θ
CH - C = 3.57 ° C / W ,TC = 25°C
0.01
1
p
ot
sh
e
ULS
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.001
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 250 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
REJ03G1530-0200 Rev.2.00 2009年12月2日
分页: 5 6
RJK5014DPP
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1530-0100
Rev.1.00
2007年4月17日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AB -A
(包名称: TO- 220FN )
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
PW
10
s,
占空比
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ,总胆固醇
150°C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
DNote4
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
500
±30
19
38
19
38
4
0.88
35
3.57
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1530-0100 Rev.1.00 2007年4月17日
第1页3
RJK5014DPP
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 5.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
500
3.0
典型值
0.325
1800
190
24
36
41
93
39
46
9
20
0.91
320
最大
1
±0.1
4.5
0.390
1.55
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 9.5 A,V
GS
= 10 V
Note5
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 9.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 26.3
RG = 10
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 19 A
I
F
= 19 A,V
GS
= 0
Note5
I
F
= 19 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1530-0100 Rev.1.00 2007年4月17日
分页: 1 2 3
RJK5014DPP
包装尺寸
包名称
TO-220FN
JEITA封装代码
瑞萨代码
PRSS0003AB-A
以前的代码
质量[典型值]
2.0g
单位:mm
10 ± 0.3
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ3.2
± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
订购信息
产品型号
RJK5014DPP-00-T2
QUANTITY
1050件
箱(管)
中海集装箱
REJ03G1530-0100 Rev.1.00 2007年4月17日
第3页3
2.6 ± 0.2
4.5 ± 0.2
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
销售战略规划事业部。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
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和可靠性,如安全系统或设备或系统的运输和交通,医疗,燃烧控制,航天航空,核电,或
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(3)医疗干预(例如,切除,药物的施用等)的
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由婴儿和小孩吞下是非常高的。你应该执行安全措施,使瑞萨的产品可能不容易从你的产品分离。
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瑞萨科技欧洲公司
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有限公司
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有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
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瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
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瑞萨科技韩国株式会社
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联系电话: <82> ( 2 ) 796-3115 ,传真: <82> ( 2 ) 796-2145
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瑞萨科技(马) 。有限公司
单元906 , B座,梅纳拉Amcorp , Amcorp贸易中心, 18号,惹Persiaran巴拉, 46050八打灵再也,雪兰莪雪兰莪,马来西亚
联系电话: <603> 7955-9390 ,传真: <603> 7955-9510
2007年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记.7.0
RJK5014DPP
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1530-0100
Rev.1.00
2007年4月17日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AB -A
(包名称: TO- 220FN )
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
PW
10
s,
占空比
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ,总胆固醇
150°C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
DNote4
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
500
±30
19
38
19
38
4
0.88
35
3.57
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1530-0100 Rev.1.00 2007年4月17日
第1页3
RJK5014DPP
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 5.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
500
3.0
典型值
0.325
1800
190
24
36
41
93
39
46
9
20
0.91
320
最大
1
±0.1
4.5
0.390
1.55
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 9.5 A,V
GS
= 10 V
Note5
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 9.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 26.3
RG = 10
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 19 A
I
F
= 19 A,V
GS
= 0
Note5
I
F
= 19 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1530-0100 Rev.1.00 2007年4月17日
分页: 1 2 3
RJK5014DPP
包装尺寸
包名称
TO-220FN
JEITA封装代码
瑞萨代码
PRSS0003AB-A
以前的代码
质量[典型值]
2.0g
单位:mm
10 ± 0.3
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ3.2
± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
订购信息
产品型号
RJK5014DPP-00-T2
QUANTITY
1050件
箱(管)
中海集装箱
REJ03G1530-0100 Rev.1.00 2007年4月17日
第3页3
2.6 ± 0.2
4.5 ± 0.2
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
销售战略规划事业部。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
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法规,程序,要求等法律法规。
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请证实与瑞萨销售办事处最新的产品信息。另外,请大家定期和仔细的额外的和不同的信息要
瑞萨透露,如通过我们的网站上披露。 ( http://www.renesas.com )
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在信息错误或遗漏的结果,包括本文件中。
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海底通信传输。如果你正在考虑使用我们的产品用于上述目的,请事先联系瑞萨销售办事处。瑞萨应
对因上述规定的用途,损害不承担任何责任。
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( 1 )人工生命支持设备或系统
(2)外科植入
(3)医疗干预(例如,切除,药物的施用等)的
( 4)构成直接威胁到人类生活中的任何其他用途
瑞萨对于因是谁选择使用瑞萨的产品在任何上述规定,在上述的使用和购买者的损失不承担任何责任
申请书应当赔偿和进行无害瑞萨科技公司,其附属公司及其管理人员,董事和雇员免受任何和所有
因这类应用的损失。
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移动电源电压范围宽,热辐射等特性,安装等产品特性。瑞萨将有故障或损害承担任何责任
因使用瑞萨的产品超越这样的规定范围。
10.虽然瑞萨一直致力于提高产品的质量和可靠性,集成电路制品具有特定的特性,例如失败的在一定的发生
率和故障一定的使用条件下。请一定要落实安全措施,以防止人身伤害的可能性,伤害或损坏
在一个瑞萨产品的故障的情况下引起的火灾,如安全设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火情控制和
故障预防,老化退化或任何其他适用的措施,适当的治疗。在其他中,由于微型计算机的软件的评价
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由婴儿和小孩吞下是非常高的。你应该执行安全措施,使瑞萨的产品可能不容易从你的产品分离。
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任何其他查询。
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有限公司
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KUKJE中心大厦。 18 FL 。 , 191 , 2 -KA ,邯钢-RO ,龙山区,首尔140-702 ,韩国
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瑞萨科技(马) 。有限公司
单元906 , B座,梅纳拉Amcorp , Amcorp贸易中心, 18号,惹Persiaran巴拉, 46050八打灵再也,雪兰莪雪兰莪,马来西亚
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2007年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
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