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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第2页 > UNR221K
晶体管具有内置电阻
UNR221x系列
（ UN221x系列）
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
■
电阻产品型号
UNR2210
UNR2211
UNR2212
UNR2213
UNR2214
UNR2215
UNR2216
UNR2217
UNR2218
UNR2219
UNR221D
UNR221E
UNR221F
UNR221K
UNR221L
UNR221M
UNR221N
UNR221T
UNR221V
UNR221Z
标记符号（R
1
)
(UN2210)
8L
47 k
(UN2211)
8A
10 k
(UN2212)
8B
22 k
(UN2213)
8C
47 k
(UN2214)
8D
10 k
(UN2215)
8E
10 k
(UN2216)
8F
4.7 k
(UN2217)
8H
22 k
(UN2218)
8I
0.51 k
(UN2219)
8K
1 k
(UN221D)
8M
47 k
(UN221E)
8N
47 k
(UN221F)
8O
4.7 k
(UN221K)
8P
10 k
(UN221L)
8Q
4.7 k
（ UN221M ） EL
2.2 k
(UN221N)
EX
4.7 k
(UN221T)
EZ
22 k
(UN221V)
FD
2.2 k
(UN221Z)
FF
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
4.7 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00010CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR221x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2210/2215/2216/2217
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1.5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ，R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
30%
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR2213
（集电极开路） UNR2212 / 2214 / 221D /
221E/221M/221N/221T
UNR221Z
UNR2211
UNR221F/221K
UNR2219
UNR2218/221L/221V
正向电流UNR221V
传输比
UNR2218/221K/221L
UNR2219/221D/221F
UNR2211
UNR2212/221E
UNR221Z
UNR2213/2214/221M
UNR221N/221T
UNR2210
*
/2215
*
/2216
*
/2217
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR221V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2213/221K
UNR221D
UNR221E
跃迁频率
输入阻抗
UNR2218
UNR2219
UNR221M/211V
UNR2216/221F/221L/
221N/221Z
UNR2211/2214/2215/221K
UNR2212/2217/221T
UNR2210/2213/221D/221E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
2
SJH00010CED
UNR221x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR221M
UNR221N
UNR2218/2219
UNR221Z
UNR2214
UNR221T
UNR221F
UNR221V
UNR2211/2212/2213/221L
UNR221K
UNR221E
UNR221D
0.8
1.70
1.70
3.7
0.37
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
民
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.47
0.47
1.0
1.0
2.13
2.14
4.7
1.2
2.60
2.60
5.7
0.57
0.25
0.12
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2210的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
（MA ）
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
20
10
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
3
UNR221x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2211的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
25°C
0.1
25C
200
25°C
100
25°C
0.2毫安
40
T
a
=
75°C
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJH00010CED
UNR221x系列
UNR2212的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2213的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
5
晶体管具有内置电阻
UNR221x系列
（ UN221x系列）
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
■
电阻产品型号
UNR2210
UNR2211
UNR2212
UNR2213
UNR2214
UNR2215
UNR2216
UNR2217
UNR2218
UNR2219
UNR221D
UNR221E
UNR221F
UNR221K
UNR221L
UNR221M
UNR221N
UNR221T
UNR221V
UNR221Z
标记符号（R
1
)
(UN2210)
8L
47 k
(UN2211)
8A
10 k
(UN2212)
8B
22 k
(UN2213)
8C
47 k
(UN2214)
8D
10 k
(UN2215)
8E
10 k
(UN2216)
8F
4.7 k
(UN2217)
8H
22 k
(UN2218)
8I
0.51 k
(UN2219)
8K
1 k
(UN221D)
8M
47 k
(UN221E)
8N
47 k
(UN221F)
8O
4.7 k
(UN221K)
8P
10 k
(UN221L)
8Q
4.7 k
（ UN221M ） EL
2.2 k
(UN221N)
EX
4.7 k
(UN221T)
EZ
22 k
(UN221V)
FD
2.2 k
(UN221Z)
FF
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
4.7 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00010CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR221x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2210/2215/2216/2217
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1.5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ，R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
30%
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR2213
（集电极开路） UNR2212 / 2214 / 221D /
221E/221M/221N/221T
UNR221Z
UNR2211
UNR221F/221K
UNR2219
UNR2218/221L/221V
正向电流UNR221V
传输比
UNR2218/221K/221L
UNR2219/221D/221F
UNR2211
UNR2212/221E
UNR221Z
UNR2213/2214/221M
UNR221N/221T
UNR2210
*
/2215
*
/2216
*
/2217
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR221V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2213/221K
UNR221D
UNR221E
跃迁频率
输入阻抗
UNR2218
UNR2219
UNR221M/211V
UNR2216/221F/221L/
221N/221Z
UNR2211/2214/2215/221K
UNR2212/2217/221T
UNR2210/2213/221D/221E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
2
SJH00010CED
UNR221x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR221M
UNR221N
UNR2218/2219
UNR221Z
UNR2214
UNR221T
UNR221F
UNR221V
UNR2211/2212/2213/221L
UNR221K
UNR221E
UNR221D
0.8
1.70
1.70
3.7
0.37
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
民
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.47
0.47
1.0
1.0
2.13
2.14
4.7
1.2
2.60
2.60
5.7
0.57
0.25
0.12
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2210的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
（MA ）
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
20
10
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
3
UNR221x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2211的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
25°C
0.1
25C
200
25°C
100
25°C
0.2毫安
40
T
a
=
75°C
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJH00010CED
UNR221x系列
UNR2212的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2213的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
5
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