初步
GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66
TQFP ， QFP
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
单周期取消（ SCD ）的操作
3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错管道模式
字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
常见的数据输入和数据输出
时钟控制，注册地址，数据和控制
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP或QFP封装
-150 -138 -133 -117 -100
管道TCYCLE 6.6 7.25 7.5 8.5
10
3-1-1-1
t
KQ
3.8
4
4
4.5
5
I
DD
270 245 240 210 180
流TCYCLE 10.5 15
15
15
15
至T
KQ
9
9.7
10
11
12
2-1-1-1
I
DD
170 120 120 120 120
-66
12.5
6
150
20
18
95
单位
ns
ns
mA
ns
ns
mA
64K ×32
2M同步突发SRAM
流经/管道读取
150兆赫， 66兆赫
9 NS- 18 NS
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚/凸点的TQFP ，凹凸的用户（引脚14
1F在FP -BGA ） 。抱着FT模式引脚/凹凸低，
放置在RAM中通过流模式，导致输出数据
绕过数据输出寄存器。控股FT高的地方
在管道模式RAM中，在激活的上升沿触发
数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS82032是SCD （单周期取消）流水线
同步SRAM 。 DCD （双循环取消）版本
也可提供。 SCD的SRAM管线取消命令之一
舞台小于读取命令。 SCD的RAM开始关闭
它们的输出后，立即取消命令已
捕获到的输入寄存器。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
功能说明
应用
该GS82032是2,097,152位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用，所述设备
现在发现在同步SRAM的应用程序
从DSP总店联网芯片组的支持。
核心和接口电压
在GS82032工作在3.3 V电源和所有输入/
输出为3.3 V - 2.5 V兼容。单独的输出
电源（V
DDQ
）引脚用于脱钩的输出噪声
内部电路。
控制
地址，数据I / O的芯片使（E
1
, E
2
, E
3
） ，地址爆
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
冯： 1.04 2/2001
1/23
2000 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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