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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:HAT2183WP
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:8-WDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:64 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-WPAK
包装:带卷 (TR)
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厂 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
大 小:100K
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IC、集成块 二三极管
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HAT2183WP
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51296
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HAT2183WP
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