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详细参数
型号:SP8K1FU6TB
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5A 8SOIC
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:230pF @ 10V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
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厂 商:EUROQUARTZ [ EUROQUARTZ limited ]
描 述:OSCILLATORS - PROGRAMMABLE
大 小:114K
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