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2N7000详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：400mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

2N7000详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：43pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

2N7000,126详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

2N7000_D26Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：400mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

2N7000_D26Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：400mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：剪切带 (CT)

2N7000_D74Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：400mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

170224-2
端子 - 快速连接，快速断连 TE Connectivity TO-3P-3，SC-65-3 CONN UNINS RECPT 10-15AWG 0.250
1664400000
高负载 - 外壳，防护罩，底座 Weidmuller TO-3P-3，SC-65-3 HDC-HA-10-SDVL1
27T104C
固定式 Murata Power Solutions Inc 非标准 INDUCTOR 100UH 0.23A SMD
2N685
SCR - 单个 Vishay Semiconductors TO-208AA，TO-48-3，接线柱 SCR PHASE CONT 200V 25A TO-48
1631001
配件 MEC Switches TO-208AA，TO-48-3，接线柱 BEZEL SWITCH BROWN
1946130000
接线座 - 接头，插头和插口 Weidmuller TO-208AA，TO-48-3，接线柱 CONN PLUG TERM BLCK 5.08MM 17POS
170225J250XF
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向 CAP FILM 2.2UF 250VDC AXIAL
2SK3301(TE16L1,NQ)
FET - 单 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD
284392-7
接线板 - 线至板 TE Connectivity TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TERM BLOCK RCPT 7POS SIDE 3.81MM
1631003
配件 MEC Switches TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 BEZEL SWITCH GREY
1946260000
接线座 - 接头，插头和插口 Weidmuller TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 CONN PLUG TERM BLOCK 5.08MM 3POS
284392-9
接线板 - 线至板 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TERM BLOCK RCPT 9POS SIDE 3.81MM
170225J250XF
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向 CAP FILM 2.2UF 250VDC AXIAL
2SK3387(TE24L,Q)
FET - 单 Toshiba SC-97 MOSFET N-CH 150V 18A SC-97
1631003
配件 MEC Switches SC-97 BEZEL SWITCH GREY

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