2SA1552S-E详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：450mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：140 @ 100mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：120MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：TP
- 包装：散装
2SA1552S-H详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：450mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：140 @ 100mA，5V
- 功率_最大：120mW
- 频率_转换：120MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：TP
- 包装：散装
2SA1552S-TL-E详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP-FA
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：450mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：140 @ 100mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：120MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TP-FA
- 包装：带卷 (TR)
2SA1552S-TL-H详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 1.5A 160V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：120MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TP-FA
- 包装：带卷 (TR)
2SA1552T-E详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：450mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 100mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：120MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TP-FA
- 包装：散装
2SA1552T-H详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：450mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 100mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：120MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：TP
- 包装：散装
- D形，Centronics TE Connectivity 圆柱形，带安装法兰 CONN CHAMP RCPT 30POS .050 VERT
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP-FA
- 接线板 - 接口模块 Phoenix Contact TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 VARIOFACE MODULE 32POS DIN RAIL
- 断路器 E-T-A TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 CIR BRKR THRM 50A PUSH-PULL
- 接地编织线，微调 3M TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 GROUND BRAID .5"X25’ W/O EYELETS
- 温度调节器 Honeywell Sensing and Control 圆柱形，带安装法兰 THERMOSTAT LOW SILHOUETTE HERM
- 功率，高于 2 安 Weidmuller 圆柱形，带安装法兰 RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 115V
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 TE Connectivity 圆柱形，带安装法兰 CONN RCPT 40POS DL BRD/BRD VERT
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 圆柱形，带安装法兰 TERM BARRIER 7CIRC SGL ROW .325
- 传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB CABLE MALE RCPT 3POS 1’ PNL MNT
- 电容器 Rubycon CAP ALUM 220UF 25V 20% SMD
- 温度调节器 Honeywell Sensing and Control 圆柱形，带安装法兰 THERMOSTAT LOW SILHOUETTE HERM
- 功率，高于 2 安 Weidmuller 圆柱形，带安装法兰 RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 230V
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 圆柱形，带安装法兰 TERM BARRIER 10CIRC SGL ROW .325
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP-FA
0755-82569753 
0755-84507209 
0755-82578309 
010-62615802 
0755-23995152 
0755-83286481 
0755-82563615 
0755-15913992 
0755-66887761 
755-83252273 
0755-82798529 
15026993318 
18927479189 
