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2SA2029T2LQ 全国供应商、价格、PDF资料

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2SA2029T2LQ详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):150mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:150mW
频率_转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商设备封装:VMT3
包装:Digi-Reel®

2SA2029T2LQ详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):150mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:150mW
频率_转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商设备封装:VMT3
包装:剪切带 (CT)

2SA2029T2LQ详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):150mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:150mW
频率_转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商设备封装:VMT3
包装:带卷 (TR)

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