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2SC2383-O(TE6,F,M)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 160V 1A TO-92

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：160V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 200mA，5V

功率_最大：900mW

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 长体

供应商设备封装：LSTM

包装：带盒（TB）

2SC2383-Y(TE6,F,M)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 160V 1A TO-92

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：160V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 200mA，5V

功率_最大：900mW

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 长体

供应商设备封装：LSTM

包装：带盒（TB）

2SC2389STPS详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 120V 0.05A 3PIN SPT

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：50mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：SC-72 成形引线

供应商设备封装：SPT

包装：带卷 (TR)