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2SC4617G 全国供应商、价格、PDF资料

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2SC4617G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN GP 50V 100MA SC75-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,60mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:125mW
频率_转换:180MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:SC-75,SOT-416
包装:剪切带 (CT)

2SC4617G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN GP 50V 100MA SC75-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,60mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:125mW
频率_转换:180MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:SC-75,SOT-416
包装:Digi-Reel®

2SC4617G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN GP 50V 100MA SC75-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,60mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:125mW
频率_转换:180MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:SC-75,SOT-416
包装:带卷 (TR)

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