2SC5663 全国供应商、价格、PDF资料

2SC5663T2L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 12V 0.5A VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，200mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 10mA，2V

功率_最大：150mW

频率_转换：320MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VMT3

包装：带卷 (TR)

2SC5663T2L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 12V 0.5A VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，200mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 10mA，2V

功率_最大：150mW

频率_转换：320MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VMT3

包装：剪切带 (CT)

2SC5663T2L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 12V 0.5A VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，200mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 10mA，2V

功率_最大：150mW

频率_转换：320MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VMT3

包装：Digi-Reel®