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APT8030B2VFRG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3 变式; 供应商设备封装：T-MAX? [B2]; 包装：管件

APT8030B2VRG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3 变式; 供应商设备封装：T-MAX? [B2]; 包装：管件

APT8030JVFR详细规格: 类别：FET; 描述：MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：450W; 安装类型：底座安装; 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC; 供应商设备封装：ISOTOP?; 包装：管件

APT8030JVR详细规格: 类别：FET; 描述：MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：450W; 安装类型：底座安装; 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC; 供应商设备封装：ISOTOP?; 包装：管件

APT8030LVFRG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A TO-264; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264 [L]; 包装：管件

APT8030LVRG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A TO-264; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264 [L]; 包装：管件

AFK478M10P44T-F
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - SMD CAP ALUM 4700UF 10V 20% SMD
AT25DF041A-MH-T
存储器 Atmel 8-UDFN IC FLASH 4MBIT 70MHZ 8UDFN
4-641148-2
矩形 - 自由悬挂，面板安装 TE Connectivity 8-UDFN CONN RCPT 12POS 18AWG MTA-156
APT8030B2VRG
FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX
AML51-G30GG
配件 Honeywell Sensing and Control TO-247-3 变式 BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AGC-50-R
保险丝 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 50A 32V FAST AGC GLASS
4804.1400
套管 - 音频 Schurter Inc 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" PLUG 7.5MM 4P
B82466G682M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH .49A SMD
AFK478M10P44T-F
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - SMD CAP ALUM 4700UF 10V 20% SMD
AGC-5-R
保险丝 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 6A 250V GLASS FST UL
AML51-G30GG
配件 Honeywell Sensing and Control 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
B82466G682M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH .49A SMD
4804.1400
套管 - 音频 Schurter Inc 非标准 PLUG 7.5MM 4P
AFK478M16R44B-F
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - SMD CAP ALUM 4700UF 16V 20% SMD
4-641149-8
矩形 - 自由悬挂，面板安装 TE Connectivity 径向，Can - SMD 18P MTA156 ASSY 20AWG YEL LF

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