BC858C-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO PNP SGL 300MW SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP LP 100MA 30V SOT23
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.036UF 1KVDC RADIAL
- 固定式 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) INDUCTOR 10UH 270MA 20% SMD
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1.8UF 16V 10% X7R 0805
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC GATE OR QUAD 2INPUT 14TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 5.1PF 50V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 5.1PF 50V 10% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0805
- 固定式 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) INDUCTOR 1.5UH 20% 0805 SMD
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1.8UF 6.3V 10% X5R 0805
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC GATE OR QUAD 2INPUT 14TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 5.1PF 200V 10% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 5.1PF 50V 10% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 10000PF 500V X7R 0805