BCP69-25 全国供应商、价格、PDF资料

BCP69-25,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 500mA，1V

功率_最大：1.4W

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：带卷 (TR)

BCP69-25,135详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 500mA，1V

功率_最大：1.4W

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：带卷 (TR)

BCP69-25,135详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 500mA，1V

功率_最大：1.4W

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：带卷 (TR)