BCV27详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
BCV27详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 500MA 30V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCV27详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
BCV27,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCV27,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BCV27,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 22 OHM 1/2W 2% AXIAL
- 晶体管(BJT) - 阵列 Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA TRANSISTOR PNP DOUBLE SOT-143
- 晶体 Citizen Finetech Miyota 4-SOJ,2.85mm 间距 CRYSTAL 28.000 MHZ 18PF SMD
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 14.7 OHM 1/4W 1% AXIAL
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 37POS FLANGE W/SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 7POS FLANGE W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div M18 SHIELDEDTCNCTR 3 M18 CON
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 240K OHM 1/2W 2% AXIAL
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS PIN
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 150K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 37POS FLANGE W/SKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div M18 SHIELDEDTCNCTR 3 M18 CON
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 7POS PIN
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 270K OHM 1/2W 2% AXIAL
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS SKT