BCW33LT1 全国供应商、价格、PDF资料

BCW33LT1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：带卷 (TR)

BCW33LT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：剪切带 (CT)

BCW33LT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：Digi-Reel®

BCW33LT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：带卷 (TR)