BCW61D,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BCW61D,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BCW61DMTF详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
BCW61DTA详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR PNP -32V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes/Zetex
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：200mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：330mW
- 频率_转换：180MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
BCW61DTA详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR PNP -32V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：200mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：330mW
- 频率_转换：180MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
BCW61DTA详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR PNP -32V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：200mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：330mW
- 频率_转换：180MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：剪切带 (CT)
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/SKT
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS SKT
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Cypress Semiconductor Corp 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CLOCK GEN PROG 8-TSSOP
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- 晶体 AVX Corp/Kyocera Corp 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 12PF SMD
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/PINS
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 29POS PIN
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 100MA SOT-323
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Cypress Semiconductor Corp 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC PROG SSCLK GENERATOR 16-TSSOP
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- 晶体 AVX Corp/Kyocera Corp 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 12PF SMD
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 6POS WALL MT PIN
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 100MA SOT-323 TR
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 29POS WALL MNT W/PINS
0755-82573702 
0755-82561519 
0755-22655674 
19166203057 
0755-84507209 
0755-82533534 
0512-67241533 
0755-85298085 
010-62962871、 
021-51872165/ 
0755-83204818 
0755-23612326 
0755-22929859 
0755-82723761 
0755-83259954 
13410941925 
