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BDX53ATU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 60V 8A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：8A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 12mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 3A，3V; 功率_最大：60W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220; 包装：管件

BDX53B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 8A 80V TO-220; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：8A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 12mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 3A，3V; 功率_最大：60W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

BDX53B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 80V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：8A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 12mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 3A，3V; 功率_最大：65W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

BDX53BFP详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 8A TO-220FP; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：8A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 12mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 3A，3V; 功率_最大：29W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220FP; 包装：管件

BDX53BG详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 80V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：8A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 12mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 3A，3V; 功率_最大：65W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

BDX53BTU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：8A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 12mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 3A，3V; 功率_最大：60W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220; 包装：管件

B88069X7320C502
气体放电管 (GDT) EPCOS Inc T20-A350X
B7PS-VH
矩形- 接头，公引脚 JST Sales America Inc CONN HEADER VH SIDE 7POS 3.96MM
BC517
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92
BDX53BG
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-220-3 TRANS DARL NPN 80V 8A TO-220AB
BFC238350273
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.027UF 1.6KVDC RADIAL
BK/GFA-12
保险丝 Cooper Bussmann 盒，非标准（轴向） FUSE 12A 32V AXL GLASS UL CSA
BD4932G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET CMOS 3.2V 5SSOP
B80C1500G-E4/51
桥式整流器 Vishay General Semiconductor WOG DIODE BRIDGE 1.5A 125V WOG
BC517_D75Z
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
BFC238350333
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.033UF 1.6KVDC RADIAL
BD4932G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET CMOS 3.2V 5SSOP
BK/GFA-3
保险丝 Cooper Bussmann 盒，非标准（轴向） FUSE 3A 250V AXL GLASS UL CSA
B80C800DM-E3/45
桥式整流器 Vishay General Semiconductor 4-EDIP（0.300"，7.62mm） DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP
BC52-10PA,115
其它 NXP Semiconductors 4-EDIP（0.300"，7.62mm） TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT1061
BDZD28
断连开关元件 Cooper Bussmann 4-EDIP（0.300"，7.62mm） FUSE CARRIER CLASS J

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