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BFT92E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS PNP RF 15V SOT-23; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：PNP; 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V; 频率_转换：5GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：8dB ~ 13.5dB; 功率_最大：200mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 15mA，8V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BFT92E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS PNP RF 15V SOT-23; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：PNP; 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V; 频率_转换：5GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：8dB ~ 13.5dB; 功率_最大：200mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 15mA，8V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BFT92W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V; 频率_转换：4GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70; 包装：剪切带 (CT)

BFT92W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V; 频率_转换：4GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70; 包装：带卷 (TR)

BFT92W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V; 频率_转换：4GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70; 包装：Digi-Reel®

BFT92W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V; 频率_转换：4GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70; 包装：带卷 (TR)

BAS70-05W,115
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
B82422H1682K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 6.8UH 570MA 1210 10%
C1608X6S1H224M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.22UF 50V 20% X6S 0603
BFT25A,215
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23
BD534KTU
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR PNP 45V 8A TO-220
74AUP1G32GM,132
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE OR LP 2INPUT XSON6
BC51-10PA,115
其它 NXP Semiconductors TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061
C0603C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0603
BAS70-06-7
二极管，整流器 - 阵列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHTKY 200MW 70V SOT23-3
BD5353FVE-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC DETECTOR VOLT 5.3V CMOS 5VSOF
74AUP1G32GM,132
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE OR LP 2INPUT XSON6
B82422H1682K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 6.8UH 570MA 1210 10%
BC51-16PA,115
其它 NXP Semiconductors TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061
C0603C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0603
BAS70-06-TP
二极管，整流器 - 阵列 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ARR SCHOTKY 70V 70MA SOT23

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