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BSS139 E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 欧姆 @ 0.1mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 56µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：76pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS139 E6906详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 欧姆 @ 0.1mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 56µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：76pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS139 H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 欧姆 @ 100µA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 56µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：76pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS139 H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 欧姆 @ 100µA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 56µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：76pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS139 H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 欧姆 @ 100µA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 56µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：76pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS139 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：耗尽模式; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 欧姆 @ 0.1mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 56µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：76pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

C4532X5R0J476M
陶瓷 TDK Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 47UF 6.3V 20% X5R 1812
8168SHABE2
按钮 C&K Components 1812（4532 公制） SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
791
电路板衬垫，支座 Keystone Electronics 1812（4532 公制） SPACER HOLE CLEAR ROUND
BSS139 H6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
C1206C103KDRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1206
C770L
SCR Powerex Inc TO-200AF THYRISTOR FAST SW 2000V 2100A
809-TS
其它 Panavise TO-200AF T-BOLT WINDOW MOUNT
BRFL2518T1R0M
固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 1.0UH 1.2A 20% SMD
79100-075-4F1
扁平带 3M 1007（2518 公制） CABLE FLAT 4COND 19AWG 100M
C781LA
SCR Powerex Inc TO-200AF THYRISTOR DISC 2100V 2500A TBK
80CIL14
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 圆柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 80A 600V CERAM BODY CSA
C1206C103KDRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1206
BRFL2518T1R0M
固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 1.0UH 1.2A 20% SMD
79100-075-4ZLT
多芯导线 3M 1007（2518 公制） ROUND JACKETED 4 WIRE CABLE 10M
BSS169 L6906
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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