BSS84P的供应信息|PDF资料|求购BSS84P上51电子网

BSS84P E6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 170mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS84P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 170mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS84P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 170mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS84P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 170mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS84P L6433详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 170mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

BSS84P-E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 170mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：19pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

73G-IVAC240
输入/输出继电器模块 - 模拟 Grayhill Inc 44-TSSOP （0.244"，6.20mm 宽）裸露焊盘 I/O MODULE 28-280VAC 12-BIT;65.5
C324C103K5R5CA
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 10000PF 100V 10% RADIAL
BSS84AKS,115
FET - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH 50V 160MA 6TSSOP
71918-144
矩形- 接头，公引脚 FCI 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 QKE III HDR STR GXT WOL
BK/S-8201-10-R
保险丝座 Cooper Bussmann 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FUSEBLOCK 10POS FOR 1/4X1-1/4"QC
B41505A9228M2
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 2200UF 100V
BQE
接线座 - 配件 Cooper Bussmann MOUNTING ADAPTER END PIECE
73JA5K
旋转 - 线性 Honeywell Sensing and Control POT 5K OHM 2W WIREWOUND SS
C0805C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0805
71918-160
矩形- 接头，公引脚 FCI TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 QKE III HDR STR GXT WOL
BK/S-8201-5
保险丝座 Cooper Bussmann TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FUSEBLOCK 5POS FOR 1/4X1-1/4" QC
B41505A9567M2
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 560UF 100V
BQMTESTER
配件 Texas Instruments BOARD MULTI-CHANNEL TEST & PROG
73JB100
旋转 - 线性 Honeywell Sensing and Control POT 100 OHM 2W WIREWOUND NYLON
C0805C181J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0805

BSS84P 全国供应商、价格、PDF资料