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BST52,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BST52,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BST52,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：Digi-Reel®

BST52,135详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BST52TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：10µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BST52TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：10µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

C2012C0G2A152J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 0805
BST-5/250-D48-C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 8-DIP 模块 CONV DC/DC +/-5V +/-250MA DIP
BH2/3-TER
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 8-DIP 模块 BATTERY TERMINAL FOR BH2/3A
C1005C0G1H2R7C
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.7PF 50V NP0 0402
BTNK0160
配件 - 帽盖 C&K Components 0402（1005 公制） CAP SWITCH SQR BLUE SNAP-ON KSA
C0805C689C2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6.8PF 200V NP0 0805
C3216X7R1C105K/1.15
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 10% X7R 1206
C2012C0G2A152J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 0805
BP48V18
配件 Tripp Lite 0805（2012 公制） BATTERY EXTERNAL PACK 48V BLUE
BTNK0260
配件 - 帽盖 C&K Components TO-243AA CAP SWITCH RND BLUE SNAP-ON KSA
C1005C0G1H330F
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 33PF 50V 1% NP0 0402
C3216X7R1C105M
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 20% X7R 1206
C0805C689D5GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6.8PF 50V NP0 0805
BP48V24-2U
配件 Tripp Lite 0805（2012 公制） BATT PACK EXT 48V 2U W/CABLE
BST60,115
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 45V 500MA SOT89

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