

BSV236SP H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:Digi-Reel®
BSV236SP H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 1.5A,4.5V
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- 输入电容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:剪切带 (CT)
BSV236SP H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
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- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
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- 输入电容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:带卷 (TR)
BSV236SP L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
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- 功率_最大:560mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:带卷 (TR)
BSV236SP L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:Digi-Reel®
BSV236SP L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:PG-SOT363-6
- 包装:剪切带 (CT)
- RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE SOT89
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 86.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
- 端子 - 端子和导线接片 Panduit Corp 径向 CONN SPLICE BUTT 18-22AWG VINYL
- 桥式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP,BU RECTIFIER BRIDGE 1000V 15A BU
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
- RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE SOT89
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 97.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC REG LDO 1.5V .2A 5SSOP
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
- RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA MMIC AMPLIFIER SOT89
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.068UF 250VDC RADIAL
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 931K OHM 1/2W 0.1% AXIAL