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BUZ31详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 9A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

BUZ31 E3045A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 9A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

BUZ31 E3046详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 9A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

BUZ31 H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 9A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

BUZ31 H3045A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：Digi-Reel®

BUZ31 H3045A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：剪切带 (CT)

B43501F2188M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
744C083271JTR
网络、阵列 CTS Resistor Products 2012（5131 公制），凹陷 RES ARRAY 270 OHM 4 RES 2012
B43508A9687M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 400V
B43514K5567M87
电容器 EPCOS Inc 560UF 450V 35X70 SNAP 4-PIN
BUZ30A
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
B7A-T6A1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-3 TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
C1206C151J1GALTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 150PF 100V 5% NP0 1206
B43508A9827M80
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 820UF 400V
744C083273JTR
网络、阵列 CTS Resistor Products 2012（5131 公制），凹陷 RES ARRAY 27K OHM 4 RES 2012
B43514K567M7
电容器 EPCOS Inc 560UF 420V 35X70 SNAP 4-PIN
B7A-T6A1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
C1206C151JFGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 150PF 1.5KV 5% NP0 1206
744C083274JPTR
网络、阵列 CTS Resistor Products 2012（5131 公制），凹陷 RES ARRAY 270K OHM 4 RES 2012
B43508B2108M000
电容器 EPCOS Inc 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1000UF 200V 20% SNAP
B43501F2188M67
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V

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