BZT52H-C12 全国供应商、价格、PDF资料
BZT52H-C12,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:12V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:100nA @ 8V
- 容差:±5%
- 功率_最大:375mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商设备封装:SOD-123F
- 包装:带卷 (TR)
BZT52H-C12,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:12V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:100nA @ 8V
- 容差:±5%
- 功率_最大:375mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商设备封装:SOD-123F
- 包装:剪切带 (CT)
BZT52H-C12,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:12V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:100nA @ 8V
- 容差:±5%
- 功率_最大:375mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商设备封装:SOD-123F
- 包装:Digi-Reel®
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 28-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNC SW-MODE BATT CHRGR 28QFN
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 100V 10% X7R 0603
- 继电器 Kemet 0612(1632 公制) CAP ARRAY 2200PF 16V 0612
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3.3UF 6.3V 20% X5R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 6.8UF 25V 10% X7R 1210
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 18PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 4700PF 300V 20% RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 28-VFQFN 裸露焊盘 IC LI-ION/POL BATT CHARGER 28QFN
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3.3UF 6.3V 20% X5R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 6.8UF 16V 10% X5R 1210
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 18PF 250V 5% RADIAL
- 继电器 Kemet 0612(1632 公制) CAP ARRAY 0.022UF 16V 0612
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 4700PF 300V 20% RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 28-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNC BATTERY CHARGER 28QFN
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 4.7UF 6.3V 10% X5R 0603