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BZX84C3V0-7详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±7%; 功率_最大：300mW; 阻抗（最大）333Zzt444：95 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BZX84C3V0-7详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±7%; 功率_最大：300mW; 阻抗（最大）333Zzt444：95 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BZX84C3V0-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±7%; 功率_最大：300mW; 阻抗（最大）333Zzt444：95 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：Digi-Reel®

BZX84C3V0-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±7%; 功率_最大：300mW; 阻抗（最大）333Zzt444：95 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BZX84C3V0-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±7%; 功率_最大：300mW; 阻抗（最大）333Zzt444：95 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BZX84C3V0LT1详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3V 225MW SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±7%; 功率_最大：225mW; 阻抗（最大）333Zzt444：95 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

744032001
固定式 Wurth Electronics Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.0UH .75A 1210 SMD
BZX84-C3V0,235
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
BZV90-C62,115
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA DIODE ZENER 1.5W 62V SOT223
BUK9219-55A,118
FET - 单 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
C0402C0G1C3R3B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 3.3PF 16V NP0 01005
BYM07-100HE3/98
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AA DIODE 0.5A 100V 50NS DO-213AA
B78108S1224J9
固定式 EPCOS Inc 轴向 CHOKE RF 220UH 250MA AXIAL
B82799C513N1
共模扼流圈 EPCOS Inc 水平式，4 L 形引线 RING CORE DBL CHOKE 51UH SMD
7440320015
固定式 Wurth Electronics Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.5UH .66A 1210 SMD
C0402C0G1C3R6B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 3.6PF 16V NP0 01005
BUK9225-55A,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
B78108S1272K
固定式 EPCOS Inc 轴向 CHOKE RF 2.7UH 940MA AXIAL
BYM07-400HE3/83
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AA DIODE 0.5A 400V 50NS DO-213AA
B82799S0223N001
共模扼流圈 EPCOS Inc 水平式，4 L 形引线 RING CORE DBL CHOKE 22UH SMD
744032004
固定式 Wurth Electronics Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 4.7UH .49A 1210 SMD

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