BZX84C75LT1G 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84C75LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 75V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:75V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 52.5V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:255 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84C75LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 75V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:75V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 52.5V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:255 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BZX84C75LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 75V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:75V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 52.5V
- 容差:±6%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:255 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 1206(3216 公制) RES 732K OHM 1/4W 1% 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3300PF 1.4KVDC RADIAL
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 75V 225MW SOT-23
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc DEV KIT FOR F300/301/302/304/305
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.068UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 1206(3216 公制) RES 768K OHM 1/4W 1% 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3300PF 1.4KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X8R 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.1UF 63VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 1206(3216 公制) RES 806K OHM 1/4W 1% 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.051UF 1.4KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 1206
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 7.5V 350MW SOT-23