EMG11T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：Digi-Reel®
EMG11T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：带卷 (TR)
EMG11T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：剪切带 (CT)
EMG1T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：Digi-Reel®
EMG1T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：带卷 (TR)
EMG1T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：剪切带 (CT)
- 线性 - 比较器 Linear Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC COMP R-RINOUT DUAL 8-MSOP
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
- AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc ADPT MULTI-BLADE 20VDC 1.5A P5P
- 评估板 - 音频放大器 Texas Instruments 12-WFBGA BOARD EVALUATION LM4985TM
- 固定式 Panasonic Electronic Components 非标准 COIL CHOKE 10UH SHIELDED SMD
- 快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control PLUG-INLOW TEMP VERS SIDE ROTARY
- PMIC - 稳压器 - 线性 Linear Technology TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA IC REG LDO ADJ .7A DDPAK-5
- 电容器 Kemet 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 10000UF 50V 20% SNAP
- AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc ADPT MULTI-BLADE 20VDC 2.0A P5P
- 线性 - 比较器 Linear Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC COMPARATOR DUAL HS 3/5V 8MSOP
- 快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control FULLY POTTED LIMIT SWES
- PMIC - 稳压器 - 线性 Linear Technology TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA IC REG LDO 3.3V .7A DDPAK-5
- 固定式 Panasonic Electronic Components 非标准 COIL CHOKE 10UH SHIELDED SMD
- 电容器 Kemet 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 450V 20% SNAP
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC AMP AUDIO PWR 2W MONO 8MSOP
19166203057 
0755-83291010 
0512-67241533 
18926544209/1 
010-62962871、 
13717008271 
075582788062 
0755-23915992 
0755-66887761 
13424184668 
0755-82568894 
0755- 8251939 
19129493510 
0755-83242658 
0755-82561519 
