FCB11N60FTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：Digi-Reel®
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- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
FCB11N60FTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：剪切带 (CT)
FCB11N60TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：剪切带 (CT)
FCB11N60TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
FCB11N60TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：Digi-Reel®
- RF 放大器 Maxim Integrated 4-WFBGA，WLCSP IC AMP LNA GPS/GNSS 4-WLP
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC POT DGTL DUAL 10K SPI 14TSSOP
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- PMIC - 电源管理 - 专用 Maxim Integrated 48-WFQFN 裸露焊盘 IC POWER MANAGEMENT 48-TQFN
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated SOT-23-6 IC BATTERY MON SNGL SOT23-6
- 拨动开关 C&K Components SWITCH TOGGLE SPDT ON-OFF-MOM
- PMIC - 电池管理 Microchip Technology 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC LIION CHRGR USB/AC-IN 10MSOP
- 接口 - 滤波器 - 有源 Maxim Integrated 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FILTER BANDPASS PROG 24-SOIC
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRVR/RCVR MULTCH RS232 20SOIC
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated SOT-23-6 IC BATTERY MON SNGL SOT23-6
- 拨动开关 C&K Components SWITCH TOGGLE SPDT ON-NONE-MOM
- PMIC - 电池管理 Microchip Technology 10-VFDFN 裸露焊盘 IC LIION CHRGR USB/AC-IN 10DFN
- PMIC - 电源管理 - 专用 Maxim Integrated 40-WFQFN 裸露焊盘 IC POWER MANAGEMENT 40-TQFN
- RF 混频器 Maxim Integrated 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC MIXER DOWNCONVERTER 10UMAX
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Maxim Integrated 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC TXRX RS232 250KBPS SD 20-DIP
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-23613962 
19166203057 
0755-83291010 
0755-84507209 
0755-82542579 
0512-67241533 
0755-85298085 
010-62962871、 
19129493510 
0755-83242658 
13510131896 
0755-82561519 
0755-18503085 
