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FDS6612A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

FDS6612A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS6612A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

H48-6A-320-320-3.0-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X3MM W/ADH
ISC1812ERR68K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 680NH 10% 1812
GTS447C301HR
拨动开关 CW Industries 径向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
IRFU3704PBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
FDS6574A
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
IRFU3707PBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
H48-6A-640-320-10.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X10MM
IPW50R199CP
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
GTS447D101HR
拨动开关 CW Industries 径向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
ISC1812ERR82M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 20% 1812
H48-6C-150-150-0.5-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
IPW50R280CE
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
IRFU3710ZPBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
GTS447H101HR
拨动开关 CW Industries 径向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
ISC1812ES101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812

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