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FDS6680AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1240pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

FDS6680AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1240pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

FDS6680AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1240pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

H48-6G-100-100-2.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
IPW65R190C6
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
IRFU9120
FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
FDS6676AS
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
GJM0335C1E5R1CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
ISC1812ES1R8K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
IRFU9120NPBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
H48-6G-100-100-3.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X3MM
IPW65R190E6
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
ISC1812ES331K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
GJM0335C1E5R2CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
IRFW630BTM_FP001
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
H48-6G-150-150-1.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
IQ1030 2202
配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
FDS6682
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

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