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FDS6898A详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

FDS6898A详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

FDS6898A详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS6898A_NF40详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS6898AZ详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS6898AZ详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
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固定式 SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC 非标准 INDUCTOR POWER 7.0UH 4.80A SMD
FDS6892AZ
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
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芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 84.5KOHM 1% 0805
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div E5CJ TERMINAL COVER
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD
CDRH104RNP-1R5NC
固定式 SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 10.0A SMD
ERJ-S06F8453V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 845K OHM 1% 0805
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM COVER FOR E5CK DIGTL CNTRLR
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
GBM22DCCD-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS .100 EXTEND

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