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FQB22P10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

FQB22P10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：剪切带 (CT)

FQB22P10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：Digi-Reel®

FQB22P10TM_F085详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263-2; 包装：Digi-Reel®

FQB22P10TM_F085详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263-2; 包装：带卷 (TR)

FQB22P10TM_F085详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263-2; 包装：剪切带 (CT)

FTS-128-01-L-D
矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc 32-DIP 模块 CONN HEADER 56POS DUAL .05" T/H
MAX6831VDUT+T
PMIC - 监控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC MPU SUPERVISOR SOT23-6
MC74HC00ANG
逻辑 - 栅极和逆变器 ON Semiconductor 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14DIP
LSYRC1ADD
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control PLUGINSIDE ROTARY SPDT
FQB22P10TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
LSXM4N-1C
配件 Honeywell Sensing and Control LEVER FOR ROTARY SWITCH
MIC2211-PSYML TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘，10-MLF? IC REG LDO 3V/3.3V 10-MLF
MAX6720AUTTWD6+T
PMIC - 监控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
MAX6832GXRD2+T
PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-70，SOT-323 IC MPU SUPERVISOR SC70-3
LSXN3K-1A
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control LEVER FOR ROTARY SWITCH
FTS-129-03-L-D
矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc 32-DIP 模块 CONN HEADER 58POS DUAL .05" T/H
MIC2211-PSYML TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘，10-MLF? IC REG LDO 3V/3.3V 10-MLF
MAX6720AUTTZD6+T
PMIC - 监控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
MAX6832HXRD1+T
PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-70，SOT-323 IC MPU SUPERVISOR SC70-3
LSXN4L
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control EXPLOSIONPROOF LIMIT SWES LSX

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