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FQD2N80TF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 欧姆 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD2N80TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 欧姆 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD2N80TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 欧姆 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

FQD2N80TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 欧姆 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FQD2N80TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：800V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 欧姆 @ 900mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD20N06LTM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
CGA3E3C0G2E121J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 250V 5% NP0 0603
FSXLF327
晶体 Fox Electronics 4-SMD，扁平引线（3 引线） CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD
ERJ-S6SJR12V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 0.12 OHM 5% 0805
FK20X5R1E106K
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 10UF 25V 10% RADIAL
EBM22DSXH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD
FQD20N06TF
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
FT-1170-WH
支架 - 热管理 Bud Industries 6-UFDFN FAN TRAY ASSEMBLY WHITE TEXTURE
CGA3E3C0G2E121J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 250V 5% NP0 0603
EBM22DSXI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD
FK20X5R1H225K
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 2.2UF 50V 10% RADIAL
FT-170-318-001
支架 - 热管理 EBM-Papst Industries Inc FAN TRAY 483X211MM 115VAC
CGA3E3C0G2E181J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 250V 5% NP0 0603
ERJ-T06J100V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-PULSE 10 OHM 5% 0805
FQD30N06TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

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