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IDT70V657S12DRI 全国供应商、价格、PDF资料

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IDT70V657S12DRI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：1.125M（32K x 36）; 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：208-BFQFP; 供应商器件封装：208-PQFP（28x28）; 包装：托盘

IDT70V657S12DRI供应商

IDT70V657S12DRI 北京人上科技有限公司 13910052844（微
IDT70V657S12DRI 深圳市潮南大宇电子有限公司 0755-23956875
IDT70V657S12DRI 深圳市毅创腾电子科技有限公司 755-83616256
IDT70V657S12DRI 深圳市昌和盛利电子有限公司 0755-83679110
IDT70V657S12DRI 深圳市恒凯威科技开发有限公司 0755-22207335
IDT70V657S12DRI 北京显周科技有限公司 13910052844（微
IDT70V657S12DRI 北京青山盛世电子技术有限公司 010-82610856
IDT70V657S12DRI 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、
IDT70V657S12DRI 深圳市众诚发电子有限公司 0755-83231869
IDT70V657S12DRI 深圳市恒意法电子有限公司 18026926850/0
IDT70V657S12DRI 深圳市毅创腾电子科技有限公司 755-83219286

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LGY2G471MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP
DS1220AD-150
存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP
GRM31MR71H474KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V657S12BF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA
IMC1812ER12NM
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 12NH 20% 1812
IHSM5832RF2R2L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2.2UH 8.5A SMD
DSP2A-DC5V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
GS-3-100-9093-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 909K OHM 3W 1% AXL
DS1220AD-200IND+
存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
LGY2V101MELZ
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP
IMC1812ER150K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 15UH 10% 1812
GS4901BCNE3
时钟/计时 - 专用 Semtech 64-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK GEN SYNTHESIZER
DSP2A-DC5V-R
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
IHSM5832RF681L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD
DS1221S
存储器 - 控制器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC

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