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IDT71024MS15Y详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：15ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：管件

IDT71024MS15Y8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：15ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：带卷 (TR)

IDT71024S12TY详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：管件

IDT71024S12TY8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：带卷 (TR)

IDT71024S12TYG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：管件

IDT71024S12TYG8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：带卷 (TR)

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IDT71024S15TYG8 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
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